仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：18 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：40 nC @ 5 Vピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。パッケージTO-220実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)110チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)180最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20トランジスタ構成シングル最小動作温度(℃)-55
