仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：0.3333333333●標準ゲートチャージ @ Vgs：53 nC @ 10 V高さ(mm)18.9ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲーパッケージTO-3PN実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)225チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)1000最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.45最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
