- 仕様
- ●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：17 A
- 高さ(mm)
- 9.4
- ピン数(ピン)
- 3
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 特性
- Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでス
- パッケージ
- TO-220AB
- 実装タイプ
- スルーホール
- チャンネルタイプ
- P
- 最大パワー消費(W)
- 79
- 材質(トランジスタ)
- Si
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 60
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 120
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -25 ， +25
- トランジスタ構成
- シングル
