仕様Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでス高さ(mm)16.3ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)19最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-25、+25トランジスタ構成シングル最大パワー消費120 W
