- 仕様
- UniFETTM MOSFET は、プレーナストライプと DMOS テクノロジーをベースにした高電圧 MOSFET ファミリです。この MOSFET は、オン状態の抵抗を低減し、スイッチング性能及びアバランシェエネルギー強度を高めるように調整されています。このデバイスファミリは、力率補正( PFC )、フラットパネルディスプレイ( FPD ) TV 電源、 ATX 、電子ランプバラストなどのスイッチング電源コンバータ用途に適しています。RDS ( ON )
19 A 低ゲート電荷量(標準) 60 n
- ピン数(ピン)
- 3
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- パッケージ
- TO-3P
- 実装タイプ
- スルーホール
- 1チップ当たりのエレメント数
- 1
- 最大パワー消費(W)
- 312
- 最大動作温度(℃)
- 150
