- 仕様
- ●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：51 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：55 nC @ 10 V
- 高さ(mm)
- 9.4
- ピン数(ピン)
- 3
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 特性
- UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
- パッケージ
- TO-220AB
- 実装タイプ
- スルーホール
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(mW)
- 320000
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 250
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 60
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -30 ， +30
- トランジスタ構成
- シングル
