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FDC658AP onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 4 A 表面実装パッケージSOT-23 6 ピン onsemi 68198264

onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 4 A 表面実装パッケージSOT-23 6 ピン

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内容量: 1箱(5個)
注文コード: 68198264
品番: FDC658AP

参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)￥835

販売価格(税別)

￥759

仕様: ●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：0.1666666667●標準ゲートチャージ @ Vgs：6 nC @ 5 V
シリーズ: PowerTrench
ピン数(ピン): 6
RoHS指令(10物質対応): 対応
特性: PowerTrench(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷
パッケージ: SOT-23
実装タイプ: 表面実装
チャンネルタイプ: P
最大パワー消費(W): 1.6
チャンネルモード: エンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V): 30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ): 75
最大ゲート-ソース間電圧(V): -25 ， +25
トランジスタ構成: シングル

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