仕様Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A. PowerTrench(R) MOSFETは、最適化されたスイッチングを行いシステム効率と電力密度を向上させます。これらの製品は、低ゲート電荷(Qg)、低逆回復電荷(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードをを組み合わせることにより、AC/DC電源における同期整流用の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、電荷バランスを提供する遮蔽ゲート構造をシリーズPowerTrenchピン数(ピン)6RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)1.9最大ドレイン-ソース間電圧(V)20最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)270最小ゲートしきい値電圧(V)0.4最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、+8トランジスタ構成絶縁型最大パワー消費960 mW
