- 仕様
- Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
- シリーズ
- PowerTrench
- ピン数(ピン)
- 8
- RoHS指令(10物質対応)
- 対応
- 実装タイプ
- 表面実装
- チャンネルタイプ
- N
- 最大パワー消費(W)
- 5
- チャンネルモード
- エンハンスメント型
- 最大連続ドレイン電流(A)
- 6.1
- 最大ドレイン-ソース間電圧(V)
- 60
- 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
- 58.8
- 最小ゲートしきい値電圧(V)
- 1
- 最大ゲート-ソース間電圧(V)
- -20、 +20
- トランジスタ構成
- シングル
- 標準ゲートチャージ
- 19 nC @ 10 V
