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FDMA1032CZ onsemi N, Pチャンネル MOSFET20 V 3.1 A、3.7 A 表面実装 パッケージMicroFET 2 x 2 6 ピン onsemi 68201439

onsemi N, Pチャンネル MOSFET20 V 3.1 A、3.7 A 表面実装 パッケージMicroFET 2 x 2 6 ピン

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内容量
1リール(3000個)
注文コード
68201439
品番
FDMA1032CZ
8月23日より価格改定を予定しております。新価格(税抜)は119,800円となります。
参考基準価格(税別)オープン販売価格(税込)¥120,780
販売価格(税別)
109,800
仕様
PowerTrench(R)デュアルN/PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench(R) MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench(R) MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用している
幅(mm)
2
シリーズ
PowerTrench
ピン数(ピン)
6
RoHS指令(10物質対応)
対応
実装タイプ
表面実装
チャンネルタイプ
N, P
最大パワー消費(W)
1.4
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)
3.1 、3.7
最大ドレイン-ソース間電圧(V)
20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)
6895
最小ゲートしきい値電圧(V)
0.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)
-12、 +12
トランジスタ構成
絶縁型
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