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エコロジープロダクト
「ab-3n」の検索結果
ナイロンクリップ
ヘラマンタイトン(旧:タイトン)(21件のレビュー)￥339～税込￥373～1袋(100個)当日出荷から7日以内出荷ビス止めのため、確実・強固な固定が可能。材質66ナイロン使用温度範囲(℃)-40～+85難燃性UL94V-2
導電性クリップ AB-3N-NC 100本入
TGK(東京硝子器械)￥5,990税込￥6,5891袋12日以内出荷結束バンドを使用せず、ビスで確実・強固な固定が、素早く簡単に行えます。パネルシャーシに固定して導電性インシュロックタイと同様、ESD対策、静電気の帯電防止に効果的です。結束径(Φmm)4.5仕様運用ビス：M4
アマチュアベアリングプーラ
スーパーツール(33件のレビュー)￥9,998税込￥10,9981台当日出荷電源工具、家電品、自動車などに取付けられている小径ベアリングの引抜き作業に最適。仕様早締め用スピードノブ付
リリーフバルブ RAシリーズ(ブラス)
IBS(3件のレビュー)￥8,198～税込￥9,018～特価1個当日出荷から82日以内出荷低圧仕様に対応。コンパクト、軽量。豊富な口径ラインアップ。工場にてクラッキング圧力をセットし出荷。材質(本体)ブラスタイプ低圧大気開放型ポート数2ねじの種類R耐圧(MPa)1.62使用流体気体/液体
ナイロンクリップ 難燃性
ヘラマンタイトン(旧:タイトン)￥1,898税込￥2,0881袋(100個)3日以内出荷材質66ナイロン幅(mm)9.5色白使用温度範囲(℃)-40～+105グレード【UL難燃(主原料)】UL94V-0特性難燃
導電性クリップ
ヘラマンタイトン(旧:タイトン)￥4,398税込￥4,8381袋(100個)6日以内出荷インシュロック 固定アクセサリ ビス止めタイプ 導電性クリップ色黒材質ポリプロピレン(導電性)仕様ハロゲンフリー、屋内使用幅(mm)9.5使用温度範囲(℃)-40～+85固定時の内径(Φmm)定時の内径Φ4.5mm適合ビスM4
ナイロンクリップ
ヘラマンタイトン(旧:タイトン)￥4,998税込￥5,4981袋(100個)3日以内出荷材質ふっ素樹脂(ETFE)幅(mm)9.5色乳白使用温度範囲(℃)-80～+170グレード【UL難燃(主原料)】UL94V-0特性耐熱・耐薬品・難燃
AD11シリーズ マルチレックスバルブ(パイロット式2方弁)
CKD￥10,850～税込￥11,935～特価1個当日出荷から51日以内出荷作動方式パイロット式弁構造パイロット式ポペット構造 ダイアフラム駆動
タブレットケース
サンワサプライ￥5,998税込￥6,5981個当日出荷ショルダーベルト付きで立ったまま11インチまでのタブレットPCを操作できるケースです。ケース全面に衝撃吸収素材を使用し、外部からの衝撃からタブレットを守ります。防滴・防塵タイプで水周りやホコリの立ちやすい屋外での使用に最適です。カメラ窓付きで、ケースに入れたままカメラ機能を使用できます。(機種によっては対応できない場合もあります)。ベルトを付け替えることで、縦・横どちらでもタブレットPCを操作できます。背面にはハンドベルト付きで片手で操作可能です。機器の管理に便利な、名刺ポケット付きです。角落ちにも強い角補強パーツ付きです。ペンホルダー付きです。付属品ショルダーストラップ材質PU(ポリウレタン)、PVC(ポリ塩化ビニル)、低反発ウレタン厚さ(mm)28タイプ手帳型寸法(幅W×奥行D×高さH)(mm)230×28×325対応機種11型までのタブレットPCホルダー(ペンシル)あり収納厚(mm)最大12対応インチサイズ11インチまで収納寸法(幅W×奥行D×高さH)(mm)最大190×12×255外形寸法縦(mm)325収納寸法・縦(mm)最大255収納寸法・横(mm)最大190ベルト長さ(cm)最長139、最短86(フックの先端から)外形寸法横(mm)230
USBケーブル オーディオケーブル B-A 3.0 ブラック
エレコム￥1,198～税込￥1,318～1個翌々日出荷テレビ用外付けハードディスクでの録画時のエラーや再生視聴中のコマ落ちなどを低減する3重シールドの安心設計! 最大6チャンネル同時録画にも対応したUSB3.0ケーブル! 信頼性の高いUSB3.0正規認証品! USB3.0(Standard-A)端子をもつ外付け用ハードディスク録画対応テレビと、USB3.0(Standard-B)端子を持つ外付けハードディスクドライブなどの機器を接続できるUSB3.0ケーブルです。 USB3.0の規格である「Certified SuperSpeed USB(USB3.0)」の正規認証品です。 USB2.0ケーブルの10倍以上の最大5Gbpsの転送速度で、外付けハードディスクへの多チャンネル録画に必須となる大容量データ転送に最適です。 録画時のエラーや再生視聴中のコマ落ちなどを低減する外部ノイズに強い3重シールドケーブルを採用しています。 最大6チャンネル同時録画にも対応したUSB3.0ケーブルです。 サビなどに強く、経年劣化や信号劣化を低減する金メッキピンコネクタを採用しています。 EUの「RoHS指令(電気・電子機器に対する特定有害物質の使用制限)」に準拠(10物質)した、環境にやさしい製品です。仕様【ツイストペアケーブル(通信線)】○色ブラック規格USB3.0規格正規認証品コネクタ形状USB3.0(Standard-A)オス-USB3.0(Standard-B)オス対応機種USB3.0(Aタイプ)端子搭載の外付けハードディスク録画対応テレビ及びUSB3.0(Bタイプ)端子搭載の外付けハードディスクドライブ等プラグ金メッキピン・金メッキコネクタシールド3重シールドケーブル径(Φmm)4.8対応転送速度(Mbps)最大5000※理論値
平面ハンドルカジリ防止用止め金
TAKIGEN(タキゲン)￥111税込￥1221個4日以内出荷から5日以内出荷止め金に高負荷がかかる扉に使用しても従来品よりスムーズに開閉できます。材質冷間圧延鋼板(SPCC)表面仕上げ亜鉛めっきクロメート処理(MFZn-C)
ロールネイル ワイヤー連結釘 鉄(スムースタイプ)
KN村田産業(6件のレビュー)￥2,798～税込￥3,078～1箱(400本×10巻)ほか当日出荷から14日以内出荷用途梱包、パレット、一般木材材質軟鋼線材形状スムース表面処理セメントコート連結方式ワイヤー胴部形状スムースRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON￥1,898税込￥2,0881袋(20個)当日出荷NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 343 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON￥1,498税込￥1,6481袋(2個)翌々日出荷モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 343 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 375000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 108 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 260 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON￥589税込￥6481袋(2個)翌々日出荷NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 260 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 57 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET75 V 80 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON￥1,498税込￥1,6481袋(5個)翌々日出荷モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 75 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 36 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON￥269税込￥2961袋(2個)翌々日出荷NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
ロールネイル ワイヤー連結釘 鉄(スクリュータイプ)
KN村田産業(3件のレビュー)￥13,980税込￥15,3781箱(400本×40巻)当日出荷から5日以内出荷用途梱包、パレット、一般木材材質軟鋼線材形状スクリュー表面処理セメントコート連結方式ワイヤー胴部形状スクリューRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 70 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
ON SEMICONDUCTOR￥429税込￥4721個翌々日出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2250 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応
