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RoHS10物質対応(4)
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Infineon Nチャンネル IGBT 650 V 1899-12-31 08:00:00， 3-Pin TO-220 1
INFINEON￥12,980税込￥14,2781セット(50個)7日以内出荷仕様最大連続コレクタ電流 = 1899-12-31 08:00:00最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20 V， ±30Vトランジスタ数 = 1パッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 44 A 表面実装 パッケージPQFN 5 x 6 8 ピン
INFINEON￥1,698税込￥1,8681袋(5個)7日以内出荷NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 44 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 156 W最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 0.85mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 電源スイッチIC
INFINEON￥329,800税込￥362,7801セット(2500個)7日以内出荷Infineon シングルチャンネルスマートハイサイドパワースイッチです。PG-DSO-8-24 パッケージに組み込まれ、保護機能と診断機能を備えています。このパワートランジスタは、チャージポンプ付き N チャンネルパワー MOSFET によって構築されています。これらのデバイスはモノリシックでスマートテクノロジーに統合されています。この製品は、過酷な車載環境でリレー、 R5W ランプ、又は LED を駆動するように特別に設計されています。CMOS 互換入力を備えています ESD 保護機能を備えています RoHS 準拠で AEC 認定を受けています仕様電源スイッチの種類 = ローサイドオン抵抗 = 125MΩチャンネル数 = 1動作供給電圧 Max = 31 V最大動作電流 = 0.002Aパッケージタイプ = PG- TDSO-8ピン数 = 8RoHS指令(10物質対応)対応
