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Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥3,998税込￥4,398
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NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 36 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥519税込￥571
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NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 57 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥409税込￥450
1個
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 130 nC @ 10 Vmm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 42 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥449税込￥494
1個
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NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 42 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 160 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 180 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥1,498税込￥1,648
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8日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 180 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 370 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 137 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
INFINEON
￥12,980税込￥14,278
1セット(50個)
8日以内出荷
Infineon の 100V OptiMOS パワー MOSFET は、高効率、高電力密度 SMPS の優れたソリューションを提供します。次善の技術と比較してこのファミリは、 R DS ( on )と FOM (性能指数)の両方が 30 % 低くなっています。優れたスイッチング性能：世界最低クラスの R DS ( on ) 超低Q g / Q gd 優れたゲート電荷量 x R DS(on)製品(FOM) RoHS 準拠 - ハロゲンフリー MSL1 等級 2
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 137 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.5 MO最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 80 A スルーホールパッケージTO-220AB
INFINEON
￥2,398税込￥2,638
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 20 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
INFINEON
￥8,898税込￥9,788
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NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 52 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 54 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 8.9mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 127 A スルーホールパッケージTO-220AB
INFINEON
￥25,980税込￥28,578
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 127 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 69 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
INFINEON
￥2,198税込￥2,418
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Infineon OptiMOS2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 2 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 69 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = OptiMOS 2実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 15.8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET100 V 14 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥5,798税込￥6,378
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PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 79 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 59 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥739税込￥813
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モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 59 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 160 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 82 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 36 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥22,980税込￥25,278
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Infineon 車載用NチャンネルパワーMOSFET. InfineonのAECQ-101車載用認定済みシングルダイNチャンネルデバイスの包括的なポートフォリオは、多くの用途で幅広い電源要件に対応します。このディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品群には、表面実装及びリード線付きパッケージのNチャネルデバイスと、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 26.5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm高さ = 16.51mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 9.7 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥5,498税込￥6,048
1セット(50個)
8日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 97 A スルーホールパッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON
￥699税込￥769
1袋(2個)
8日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 97 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 83 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 72 A スルーホールパッケージTO-220AB FP 3 ピン
INFINEON
￥25,980税込￥28,578
1セット(50個)
8日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 72 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 61 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 16.13mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル IGBT 650 V 1899-12-31 08:00:00， 3-Pin TO-220 1
INFINEON
￥12,980税込￥14,278
1セット(50個)
8日以内出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 1899-12-31 08:00:00最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20 V， ±30Vトランジスタ数 = 1パッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET800 V 4 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピン
INFINEON
￥619税込￥681
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Infineon CoolMOSC3パワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 63 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 23 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応