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  • Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEON

    Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

    INFINEON
    759税込835
    1個ほか
    翌々日出荷から7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET

    INFINEON
    719税込791
    1袋(2個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 104 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 104 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    1,198税込1,318
    1袋(2個)
    7日以内出荷
    モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 104 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 380 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 4.83mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 44 A 表面実装 パッケージPQFN 5 x 6 8 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 44 A 表面実装 パッケージPQFN 5 x 6 8 ピン

    INFINEON
    1,698税込1,868
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 44 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 156 W最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 0.85mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 85 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 85 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    589税込648
    1個
    7日以内出荷
    モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 85 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 15 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 350 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 71 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET700 V 43.3 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET700 V 43.3 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン

    INFINEON
    1,298税込1,428
    1個
    7日以内出荷
    Infineon CoolMOS CFDパワーMOSFET
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 43.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM) CFD実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 80 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 391 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V動作温度 Max +150 ℃mm順方向ダイオード電圧 0.9VRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 25 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 25 A 表面実装 パッケージTDSON 8 ピン

    INFINEON
    3,598税込3,958
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 250 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ 表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 125 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V動作温度 Max +150 ℃mm高さ 1.1mm
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