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  • Infineon, SRAM 2Mbit, 128K x 16 CY62136EV30LL-45ZSXI INFINEON

    Infineon, SRAM 2Mbit, 128K x 16 CY62136EV30LL-45ZSXI

    INFINEON
    439税込483
    1個
    5日以内出荷
    仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128K x 16ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bitRoHS指令(10物質対応)対応
  • Cypress Semiconductor, CY62136FV30LL-45Z INFINEON

    Cypress Semiconductor, CY62136FV30LL-45Z

    INFINEON
    1,698税込1,868
    1袋(5個)
    5日以内出荷
    仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128k x 16ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon, SRAM 2Mbit, 128 K x 16 ビット, 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXI INFINEON

    Infineon, SRAM 2Mbit, 128 K x 16 ビット, 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXI

    INFINEON
    859税込945
    1袋(2個)
    5日以内出荷
    仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = VFBGAピン数 = 48寸法 = 6 x 8 x 0.81mm高さ = 0.81mm動作温度 Max = +85 ℃非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon, SRAM 2Mbit, 128K x 16 CY62136EV30LL-45ZSXI INFINEON

    Infineon, SRAM 2Mbit, 128K x 16 CY62136EV30LL-45ZSXI

    INFINEON
    439税込483
    1個
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    仕様●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128K x 16●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bitRoHS指令(10物質対応)対応
  • Cypress Semiconductor, CY62136FV30LL-45Z INFINEON

    Cypress Semiconductor, CY62136FV30LL-45Z

    INFINEON
    1,698税込1,868
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    仕様●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128k x 16●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 45nsRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon, SRAM 2Mbit, 128 K x 16 ビット, 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXI INFINEON

    Infineon, SRAM 2Mbit, 128 K x 16 ビット, 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXI

    INFINEON
    859税込945
    1袋(2個)
    7日以内出荷
    仕様●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128 K x 16 ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: VFBGA●ピン数: 48●寸法: 6×8×0.81mm●動作供給電圧 Max: 3.6 Vmm●幅: 8mm●非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
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