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Infineon FRAMメモリ， 64kbit， DFN， SPI， FM25CL64B-DG
INFINEON
￥919税込￥1,011
1袋(2個)
7日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力
仕様メモリサイズ = 64kbit構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFNピン数 = 8寸法 = 4 x 4.5 x 0.7mm長さ = 4.5mm幅 = 4mm高さ = 0.7mm動作温度 Max = +85 ℃動作温度 Min = -40 ℃bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon ゲートドライバモジュール 4 A SOIC-8 8-Pin
INFINEON
￥1,598税込￥1,758
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様ロジックタイプ = CMOS， LSTTL出力電流 = 4 A供給電圧 = 6.8 → 20Vピン数 = 8降下時間 = 18nsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， DFN，シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2C， FM24CL16B-DG
INFINEON
￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
7日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力
仕様メモリサイズ = 16kbit構成 = 2 K x 8ビットインターフェースタイプ = シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2Cデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 3000ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFNピン数 = 8寸法 = 4 x 4.5 x 0.7mm長さ = 4.5mm動作供給電圧 Max = 3.65 Vmm高さ = 0.7mm動作温度 Max = +85 ℃自動車規格 = AEC-Q100bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 64kbit， DFN， SPI， FM25CL64B-DG
INFINEON
￥929税込￥1,022
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 64kbit●構成： 8 K x 8ビット●インターフェースタイプ： SPI●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 20ns●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： DFN●ピン数： 8●寸法： 4×4.5×0.7mm●長さ： 4.5mm●幅： 4mm●高さ： 0.7mm●動作温度 Max： +85 ℃●動作温度 Min： -40 ℃bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， DFN，シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2C， FM24CL16B-DG
INFINEON
￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ： 16kbit●構成： 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ：シリアル-2 ワイヤー，シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 3000ns●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： DFN●ピン数： 8●寸法： 4×4.5×0.7mm●長さ： 4.5mm●幅： 4mm●高さ： 0.7mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 4kbit， SOIC， SPI， FM25040B-G
INFINEON
￥1,598税込￥1,758
1袋(5個)
7日以内出荷
FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力
仕様メモリサイズ = 4kbit構成 = 512 x 8ビットインターフェースタイプ = SPIデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 20ns実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.48mm長さ = 4.97mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm高さ = 1.48mm動作温度 Max = +85 ℃ワード数 = 512bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 4kbit， SOIC，シリアル-SPI， FM25L04B-GTR
INFINEON
￥539,800税込￥593,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
4 K ビットの強誘電体ランダムアクセスメモリ( F-RAM )は、論理的に 512 x 8 として構成されています。高耐久性： 100 兆( 1014 )の読み取り / 書き込み 151 年間のデータ保持 NODELAY 書き込み Advanced の高信頼性強誘電体プロセス超高速シリアルペリフェラルインターフェイス( SPI ) 周波数：最大 20 MHz シリアルフラッシュ及び EEPROM のハードウェアを直接交換するための製品です。SPI モード 0 ( 0 、0 )及びモード 3 ( 1 、1 )をサポート洗練された書き込み保護スキーム書き込み保護( WP )ピンを使用したハードウェア保護書き込み禁止命令を使用したソフトウェア保護 1/4 、1/2 、またはアレイ全体のソフトウェアブロック保護低消費電力 200 mA アクティブ電流 @ 1 MHz スタンバイ電流： 3 mA (標準低電圧動作： VDD = 2.7 → 3.6 V 産業温度： -40 ℃ → +85 ℃ パッケージ 8 ピン小型アウトライン集積回路( SOIC )パッケージ 8 ピン薄型デュアルフラットノーリード( DFN )パッケージです
仕様メモリサイズ = 4kbit、構成 = 512 M x 8ビット、インターフェースタイプ = シリアル-SPI、データバス幅 = 8bit、最大ランダムアクセス時間 = 20ns、実装タイプ = 表面実装、パッケージタイプ = SOIC、ピン数 = 8、寸法 = 4.97 x 3.98 x 1.47mm、長さ = 4.97mm、動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm、高さ = 1.47mm、動作温度 Max = +85 ℃、自動車規格 = AEC-Q100bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 4kbit， SOIC， SPI， FM25040B-G
INFINEON
￥1,798税込￥1,978
1袋(5個)
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仕様●メモリサイズ： 4kbit●構成： 512×8ビット●インターフェースタイプ： SPI●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 20ns●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●自動車規格： AEC-Q100bit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ高速書き込み高耐久性低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応