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  • Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 25 A スルーホール パッケージTO-220AB INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 25 A スルーホール パッケージTO-220AB

    INFINEON
    ¥10,980税込¥12,078
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 25 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 25 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    ¥739税込¥813
    1袋(2個)
    7日以内出荷
    デジタルオーディオMOSFET、Infineon. クラスDアンプは、短期間で業務用及び家庭用のオーディオ / ビデオシステム向けに推奨されるソリューションとなっています。 Infineonは、高効率クラスDアンプ設計を簡素化する充実した製品ラインアップを揃えています。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 73 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 14 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V長さ = 10.67mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 9.3 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 9.3 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    ¥6,498税込¥7,148
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 82 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 56 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 56 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    ¥2,998税込¥3,298
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 56 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    ¥6,698税込¥7,368
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 18 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    ¥1,798税込¥1,978
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    デジタルオーディオMOSFET、Infineon. クラスDアンプは、短期間で業務用及び家庭用のオーディオ / ビデオシステム向けに推奨されるソリューションとなっています。 Infineonは、高効率クラスDアンプ設計を簡素化する充実した製品ラインアップを揃えています。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4.9V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 100 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
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