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RoHS10物質対応(16)
「bfp」の検索結果
Infineon RFトランジスタ， 高周波， NPN， 表面実装， 55 mA， BFP843H6327XTSA1INFINEON￥4,998税込￥5,498
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 55 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 2.25 Vパッケージタイプ = SOT-343実装タイプ = 表面実装ピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon RFトランジスタ， 高周波， NPN， 表面実装， 25 mA， BFP720H6327XTSA1INFINEON￥1,298税込￥1,428
1袋(15個)
7日以内出荷
SiGe RFバイポーラトランジスタ、Infineon. Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。 このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン(SiGe:C)素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。 代表的な遷移周波数が最大65 GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10 GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。 このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 25 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 13 Vパッケージタイプ = SOT-343実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 13 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 1.2 Vピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon RFトランジスタ， 高周波， NPN， 表面実装， 150 mA， BFP650FH6327XTSA1INFINEON￥1,198税込￥1,318
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 13 Vパッケージタイプ = SOT-343実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 72 A スルーホール パッケージTO-220AB FP 3 ピンINFINEON￥31,980税込￥35,178
1セット(50個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 72 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 61 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 16.13mmRoHS指令(10物質対応)対応
