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Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 100 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン
INFINEON
￥1,698税込￥1,868
1袋(10個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル強化モード車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 1.4 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大パワー消費 96 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm動作温度 Min -55 ℃V
Infineon NチャンネルパワーMOSFET
INFINEON
￥1,298～税込￥1,428～
1袋(5個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
バリエーション一覧へ(1453)
MOSFET N-Ch
INFINEON
￥2,498～税込￥2,748～
1袋(10個)
翌々日出荷から9日以内出荷
仕様MOSFET
バリエーション一覧へ(24)
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 122 A 表面実装パッケージPG-TO220-3-1
INFINEON
￥979税込￥1,077
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 122 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = PG-TO220-3-1実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 57 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン
INFINEON
￥2,698税込￥2,968
1袋(25個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOSパワーMOSFETファミリ. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. Nチャンネル - 強化モード車載AEC Q101認定 MSL1最大260 ℃のピークリフロー 175 ℃の動作温度環境配慮製品(鉛フリー) 超低Rds(on)
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 7.2 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 28 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 Vトランジスタ素材 Simm動作温度 Min -55 ℃mm
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 85 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン
INFINEON
￥1,098税込￥1,208
1袋(10個)
7日以内出荷
Infineon BSC050N04LS G OptiMOS 40 V は、サーバーやデスクトップなどの Switched Mode 電源( SMPS )の同期整流に最適です。さらに、これらのデバイスは、モータ制御、高速スイッチング DC-DC コンバータなど、幅広い産業用途に使用できます。最高レベルのシステム効率並列の必要性を軽減電力密度の向上システムコストの削減
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 85 A最大ドレイン-ソース間電圧 40 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 7.2 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 57 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 20 V幅 6.35mm高さ 1.1mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 49 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン
INFINEON
￥719税込￥791
1袋(5個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、最大40 V. OptiMOS製品は、最も困難な用途にも対応できるよう高性能なパッケージに収納されています。このため、限られたスペースで最大限に柔軟性を発揮できます。これらのInfineon製品は、コンピューティング用途における次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件に適合し、上回るように設計されています。. 高速スイッチングMOSFET、SMPS用 DC/DCコンバータ用に最適化された技術対象用途に対してJEDEC1に適合 Nチャンネル、ロジックレベル優れたゲート電荷量 R DS(on)製品(FOM) 超低オン抵抗 DS(on) 鉛フリーめっき
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 49 A最大ドレイン-ソース間電圧 40 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 13.7 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 2.5 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 Vトランジスタ素材 Simm動作温度 Min -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 25 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン
INFINEON
￥3,598税込￥3,958
1袋(5個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 25 A最大ドレイン-ソース間電圧 250 Vシリーズ OptiMOS(TM) 3実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大パワー消費 125 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm高さ 1.1mm
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 100 A 表面実装パッケージTDSON 8 ピン
INFINEON
￥1,998税込￥2,198
1袋(10個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOS3パワーMOSFET、100 V以上
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vパッケージタイプ TDSON実装タイプ表面実装ピン数 8最大ドレイン-ソース間抵抗 8.6 mΩチャンネルモードエンハンスメント型最大パワー消費 156 Wトランジスタ構成シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V動作温度 Max +150 ℃mm順方向ダイオード電圧 1.2VInfineon OptiMOS(TM)3パワーMOS(TM)ET、100 V以上
Infineon Nチャンネル MOSFET
INFINEON
￥529税込￥582
1袋(2個)
7日以内出荷
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