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Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンINFINEON￥3,198税込￥3,518
1袋(5個)
翌々日出荷
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>；R ；/sup>；小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 340 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 15.95mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 330 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンINFINEON￥1,098税込￥1,208
1袋(50個)
7日以内出荷
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>；R ；/sup>；小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 360 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.3mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 170 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンINFINEON￥2,998税込￥3,298
1袋(250個)
7日以内出荷
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>；R ；/sup>；小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 170 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 360 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃VRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 660 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンINFINEON￥78,980税込￥86,878
1セット(1000個)
7日以内出荷
Infineon SIPMOSR NチャンネルMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 660 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = SOT-223実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.8 Ωチャンネルモード = デプレッション型最大ゲートしきい値電圧 = 1V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 1.6mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET250 V 430 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンINFINEON￥999税込￥1,099
1袋(10個)
7日以内出荷
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ；sup>；R ；/sup>；小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 430 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
