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RFアンプ、Infineon. Infineon のRF低ノイズアンプ(LNA)製品は、MMIC、GPS、ゲイン及びPCSの他に、ブロードバンドタイプ及びGlonassフロントエンドモジュールに対応しています。 このRFアンプは、低消費電力、データの高速受信を特長とし、ESD保護機能を備え、モバイル機器で使用されます。 GPS / Glonassモジュールは、パーソナルナビゲーションデバイス(PND)、タブレット、カメラ及び携帯電話で広く使用されています。

PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、マルチチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護

HITFETスマートローサイド電源スイッチ、Infineon. HITFET車載スマートローサイドスイッチシリーズは、ESD、加熱、短絡、過負荷状況からの保護を内蔵しています。HITFETファミリは、最大480 mΩのスイッチオン抵抗を備え、RDSonにスケールできます。. 診断又は、ラッチ及び再開保護 簡単に交換可能

PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護

PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護

ローカル相互接続ネットワーク用の Infineon トランシーバには、ウェイクアップ及び保護機能が組み込まれています。すべての LIN 規格に準拠し、動作電圧範囲が広いため、あらゆる車載用途で使用できます。優れた ESD 耐性と非常に高い電磁適合性を備えています。RoHS 準拠で AEC 認定を受けています ISO17987-4 に準拠 ESD 耐性は非常に優れています 最大伝送速度は 20 kbps です

Infineon のハイサイド電源スイッチは、垂直パワー FET を内蔵しており、保護及び診断機能を内蔵しています。サーマルシャットダウン、再起動機能、ロードダンプを含む過電圧保護を備えています。スタンバイ電流が非常に低くなっています ESD 保護機能を備えています fail イベントにフラグが設定されています

PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護

SiGe RFバイポーラトランジスタ、Infineon. Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。 このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン(SiGe:C)素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。 代表的な遷移周波数が最大65 GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10 GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。 このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。