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Infineon, SRAM 16Mbit, 1 M x 16ビット, 48-Pin CY62167EV30LL-45ZXA INFINEONInfineon, SRAM 16Mbit, 1 M x 16ビット, 48-Pin CY62167EV30LL-45ZXAINFINEON
2,698税込2,968
1個
5日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 16Mbit●構成: 1 M x 16ビット●ワード数: 1M●1ワード当たりのビット数: 16bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 16bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP●ピン数: 48●寸法: 18.4×12×1.05mm●高さ: 1.05mm●動作温度 Min: -40 ℃mm●非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 16Mbit, 1 M x 16ビット, 48-Pin CY62167EV30LL-45ZXA INFINEONInfineon, SRAM 16Mbit, 1 M x 16ビット, 48-Pin CY62167EV30LL-45ZXAINFINEON
2,698税込2,968
1個
5日以内出荷
非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 2Mbit, 128K x 16 CY62136EV30LL-45ZSXI INFINEONInfineon, SRAM 2Mbit, 128K x 16 CY62136EV30LL-45ZSXIINFINEON
439税込483
1個
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128K x 16ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 4Mbit, 512K x 8 CY62148EV30LL-45ZSXI INFINEONInfineon, SRAM 4Mbit, 512K x 8 CY62148EV30LL-45ZSXIINFINEON
649税込714
1個
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 512K x 8ワード数 = 512k1ワード当たりのビット数 = 8bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 4Mbit, 256k x 16 CY62146EV30LL-45BVXI INFINEONInfineon, SRAM 4Mbit, 256k x 16 CY62146EV30LL-45BVXIINFINEON
1,598税込1,758
1袋(2個)
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 256k x 16RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 4Mbit, 256K x 16 CY62147EV30LL-45ZSXI INFINEONInfineon, SRAM 4Mbit, 256K x 16 CY62147EV30LL-45ZSXIINFINEON
589税込648
1個
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仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 256K x 16ワード数 = 256k1ワード当たりのビット数 = 16bitRoHS指令(10物質対応)対応
SRAM 64Mbit, 4 M x 16 INFINEONSRAM 64Mbit, 4 M x 16INFINEON
2,498,000税込2,747,800
1セット(210個)
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 64Mbit構成 = 4 M x 16ワード数 = 4000k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 55nsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 1Mbit, 64 K x 16 CY62126EV30LL-45ZSXI INFINEONInfineon, SRAM 1Mbit, 64 K x 16 CY62126EV30LL-45ZSXIINFINEON
519税込571
1袋(2個)
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 64 K x 16ワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 16bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 4Mbit, 256K x 16 CY62146EV30LL-45ZSXI INFINEONInfineon, SRAM 4Mbit, 256K x 16 CY62146EV30LL-45ZSXIINFINEON
79,980税込87,978
1セット(135個)
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 4Mbit構成 = 256K x 16ワード数 = 256k1ワード当たりのビット数 = 16bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 1Mbit, 128K x 8 CY62128EV30LL-45ZAXI INFINEONInfineon, SRAM 1Mbit, 128K x 8 CY62128EV30LL-45ZAXIINFINEON
81,980税込90,178
1セット(234個)
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128K x 8ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 1024kbit, 128 k x 8ビット, 32-Pin CY62128EV30LL-45ZAXIT INFINEONInfineon, SRAM 1024kbit, 128 k x 8ビット, 32-Pin CY62128EV30LL-45ZAXITINFINEON
1,798税込1,978
1袋(5個)
5日以内出荷
Cypress CY62128EV30 は、 Advanced Circuit 設計の高性能 CMOS スタティック RAM モジュールで、超低アクティブ電流を実現します。この機能は、ポータブルアプリケーションでより多くのバッテリ寿命 (MoBL) を提供するのに理想的です。超高速: 45 ns 電圧範囲: 4.5 5.5 超低スタンバイ電力 超低アクティブ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになります
仕様メモリサイズ = 1024kbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 8bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP-32ピン数 = 32寸法 = 8.1 x 11.9 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 11.9mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 4096kbit, 512 K x 8 ビット, 32-Pin CY62148EV30LL-45ZSXIT INFINEONInfineon, SRAM 4096kbit, 512 K x 8 ビット, 32-Pin CY62148EV30LL-45ZSXITINFINEON
479,800税込527,780
1セット(1000個)
5日以内出荷
仕様メモリサイズ = 4096kbit、構成 = 512 K x 8 ビット、ワード数 = 512k、1ワード当たりのビット数 = 8bit、最大ランダムアクセス時間 = 45ns、アドレスバス幅 = 8bit、クロック周波数 = 1MHz、ローパワー = あり、タイミングタイプ = 非シンクロナス、実装タイプ = 表面実装、パッケージタイプ = TSOP-32、ピン数 = 32、寸法 = 8.1 x 11.9 x 1.05mm、高さ = 1.05mm、幅 = 11.9mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 4Mbit, 512K x 8 CY62148EV30LL-45ZSXI INFINEONInfineon, SRAM 4Mbit, 512K x 8 CY62148EV30LL-45ZSXIINFINEON
649税込714
1個
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仕様●メモリサイズ: 4Mbit●構成: 512K x 8●ワード数: 512k●1ワード当たりのビット数: 8bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 2Mbit, 128K x 16 CY62136EV30LL-45ZSXI INFINEONInfineon, SRAM 2Mbit, 128K x 16 CY62136EV30LL-45ZSXIINFINEON
439税込483
1個
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 2Mbit●構成: 128K x 16●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 16bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 1Mbit, 128K x 8 CY62128EV30LL-45ZAXI INFINEONInfineon, SRAM 1Mbit, 128K x 8 CY62128EV30LL-45ZAXIINFINEON
81,980税込90,178
1セット(234個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 128K x 8●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 8bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 1Mbit, 64 K x 16 CY62126EV30LL-45ZSXI INFINEONInfineon, SRAM 1Mbit, 64 K x 16 CY62126EV30LL-45ZSXIINFINEON
499税込549
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仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 64 K x 16●ワード数: 64k●1ワード当たりのビット数: 16bitRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 1024kbit, 128 k x 8ビット, 32-Pin CY62128EV30LL-45ZAXIT INFINEONInfineon, SRAM 1024kbit, 128 k x 8ビット, 32-Pin CY62128EV30LL-45ZAXITINFINEON
1,798税込1,978
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 1024kbit●構成: 128 x 8ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 8bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP-32●ピン数: 32●寸法: 8.1×11.9×1.05mm●高さ: 1.05mm●幅: 11.9mm●Cypress CY62128EV30 は、 Advanced Circuit 設計の高性能 CMOS スタティック RAM モジュールで、超低アクティブ電流を実現します。この機能は、ポータブルアプリケーションでより多くのバッテリ寿命- (MoBL) を提供するのに理想的です。超高速: 45 ns 電圧範囲: 4.5 5.5 超低スタンバイ電力 超低アクティブ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになりますRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 4096kbit, 512 K x 8 ビット, 32-Pin CY62148EV30LL-45ZSXIT INFINEONInfineon, SRAM 4096kbit, 512 K x 8 ビット, 32-Pin CY62148EV30LL-45ZSXITINFINEON
479,800税込527,780
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ: 4096kbit●構成: 512 K x 8 ビット●ワード数: 512k●1ワード当たりのビット数: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 8bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP-32●ピン数: 32●寸法: 8.1 x 11.9 x 1.05mm●高さ: 1.05mm●幅: 11.9mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon, SRAM 4Mbit, 256K x 16 CY62147EV30LL-45ZSXI INFINEONInfineon, SRAM 4Mbit, 256K x 16 CY62147EV30LL-45ZSXIINFINEON
589税込648
1個
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仕様●メモリサイズ: 4Mbit●構成: 256K x 16●ワード数: 256k●1ワード当たりのビット数: 16bitRoHS指令(10物質対応)対応
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