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仕様●メモリサイズ： 16Mbit●構成： 1 M x 16ビット●ワード数： 1M●1ワード当たりのビット数： 16bit●最大ランダムアクセス時間： 45ns●アドレスバス幅： 16bit●クロック周波数： 1MHz●ローパワー：あり●タイミングタイプ：非シンクロナス●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： TSOP●ピン数： 48●寸法： 18.4×12×1.05mm●高さ： 1.05mm●動作温度 Min： -40 ℃mm●非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 16Mbit， 1 M x 16ビット， 48-Pin CY62167EV30LL-45ZXA
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非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mmRoHS指令(10物質対応)対応
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仕様●メモリサイズ： 2Mbit●構成： 128K x 16●ワード数： 128k●1ワード当たりのビット数： 16bitRoHS指令(10物質対応)対応
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Infineon， SRAM 4Mbit， 512K x 8 CY62148EV30LL-45ZSXI
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