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  • Infineon Nチャンネル MOSFET600 V 20.7 A スルーホール パッケージTO-220 FP 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET600 V 20.7 A スルーホール パッケージTO-220 FP 3 ピン

    INFINEON
    19,980税込21,978
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 20.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ CoolMOS(TM)実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 34.5 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 30 V動作温度 Max +150 ℃mm動作温度 Min -55 ℃mm
  • Infineon Nチャンネル MOSFET500 V 6.6 A スルーホール パッケージTO-220 FP 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET500 V 6.6 A スルーホール パッケージTO-220 FP 3 ピン

    INFINEON
    1,998税込2,198
    1袋(25個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 6.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ CoolMOS(TM) CE実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 0.95 Ω最大ゲートしきい値電圧 3.5V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET550 V 23 A スルーホール パッケージTO-220 FP 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET550 V 23 A スルーホール パッケージTO-220 FP 3 ピン

    INFINEON
    689税込758
    1個
    7日以内出荷
    Infineon CoolMOS-CPパワーMOSFET
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 23 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 550 Vシリーズ = CoolMOS CP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大パワー消費 = 34 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 48 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 72 A スルーホール パッケージTO-220AB FP 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 72 A スルーホール パッケージTO-220AB FP 3 ピン

    INFINEON
    25,980税込28,578
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 72 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 61 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 16.13mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 270 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 270 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン

    INFINEON
    689税込758
    1個
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 270 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 57 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 57 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン

    INFINEON
    6,498税込7,148
    1セット(25個)
    7日以内出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • IRFP3710PBF INFINEON

    IRFP3710PBF

    INFINEON
    589税込648
    1個
    7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 200 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 200 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン

    INFINEON
    1,398税込1,538
    1袋(2個)
    7日以内出荷
    モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 280000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 20.7mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • IGBT Module INFINEON

    IGBT Module

    INFINEON
    7,298税込8,028
    1個
    7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEON

    Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

    INFINEON
    1,498税込1,648
    1袋(2個)ほか
    翌々日出荷から7日以内出荷
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