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  • Infineon, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 16-Pin CY14B101PA-SFXI INFINEON

    Infineon, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 16-Pin CY14B101PA-SFXI

    INFINEON
    2,598税込2,858
    1個
    7日以内出荷
    Cypress CY14X101PA は、1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。
    仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 15nsクロック周波数 = 104MHzローパワー = ありタイミングタイプ = シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10.49 x 7.59 x 2.36mm高さ = 2.36mm動作温度 Max = +85 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 16-Pin CY14B101PA-SFXI INFINEON

    Infineon, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 16-Pin CY14B101PA-SFXI

    INFINEON
    2,598税込2,858
    1個
    7日以内出荷
    仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 128 k x 8ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 15ns●クロック周波数: 104MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 16●寸法: 10.49×7.59×2.36mm●高さ: 2.36mm●動作温度 Max: +85 ℃mm●Cypress CY14×101PA は、 1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、 Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、 SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon, SRAM 1024kbit, 128 k x 8ビット, 32-Pin CY62128EV30LL-45ZAXIT INFINEON

    Infineon, SRAM 1024kbit, 128 k x 8ビット, 32-Pin CY62128EV30LL-45ZAXIT

    INFINEON
    2,398税込2,638
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    Cypress CY62128EV30 は、 Advanced Circuit 設計の高性能 CMOS スタティック RAM モジュールで、超低アクティブ電流を実現します。この機能は、ポータブルアプリケーションでより多くのバッテリ寿命 (MoBL) を提供するのに理想的です。超高速: 45 ns 電圧範囲: 4.5 5.5 超低スタンバイ電力 超低アクティブ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになります
    仕様メモリサイズ = 1024kbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 8bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP-32ピン数 = 32寸法 = 8.1 x 11.9 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 11.9mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon, SRAM 1024kbit, 128 k x 8ビット, 32-Pin CY62128EV30LL-45ZAXIT INFINEON

    Infineon, SRAM 1024kbit, 128 k x 8ビット, 32-Pin CY62128EV30LL-45ZAXIT

    INFINEON
    2,398税込2,638
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    仕様●メモリサイズ: 1024kbit●構成: 128 x 8ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 45ns●アドレスバス幅: 8bit●クロック周波数: 1MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: 非シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: TSOP-32●ピン数: 32●寸法: 8.1×11.9×1.05mm●高さ: 1.05mm●幅: 11.9mm●Cypress CY62128EV30 は、 Advanced Circuit 設計の高性能 CMOS スタティック RAM モジュールで、超低アクティブ電流を実現します。この機能は、ポータブルアプリケーションでより多くのバッテリ寿命- (MoBL) を提供するのに理想的です。超高速: 45 ns 電圧範囲: 4.5 5.5 超低スタンバイ電力 超低アクティブ電力 選択解除時に自動的に電源がオフになりますRoHS指令(10物質対応)対応
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