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  • Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEON

    Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

    INFINEON
    599税込659
    1個ほか
    翌々日出荷から7日以内出荷
  • Infineon電流モード PWMコントローラ INFINEON

    Infineon電流モード PWMコントローラ

    INFINEON
    929税込1,022
    1袋(2個)ほか
    翌々日出荷から7日以内出荷
    AC-DC内蔵電源ステージ-CoolSET、Infineon.InfineonオフラインSMPS電流モードコントローラには、内蔵650VCoolMOS及びスタートアップセル(周波数ジッタモード)が搭載されています。 PMICBiCMOSテクノロジーは26VのVcc範囲を備えているので、2次側にCV/CC調整を適用すると、補助電源の変動に対応します。 この製品はアクティブなバーストモードも備えており、低スタンバイ電力だけでなく、自動リスタートモード機能を使用して、Vcc化電圧/低電圧、出力オープンループと過熱から保護します。 ICE3B1565Jは、固定周波数/電流モード/フライバックPWMコントローラで、スマートメータ、DVDプレーヤー、セットトップボックス、ゲーム機とLEDTVなどの多様な用途で使用できます。 低スタンバイ電力<100mW)変調型ゲートドライブ低EMIノイズ。
    コントロール電流ピン数(ピン)8出力数PWM:1
  • Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFET INFINEON

    Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFET

    INFINEON
    2,398税込2,638
    1袋(50個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon MOSFETドライバ INFINEON

    Infineon MOSFETドライバ

    INFINEON
    1,498税込1,648
    1袋(2個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon MOSFETドライバ デュアル INFINEON

    Infineon MOSFETドライバ デュアル

    INFINEON
    629税込692
    1袋(2個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon ハイサイドNMOS INFINEON

    Infineon ハイサイドNMOS

    INFINEON
    2,598税込2,858
    1袋(20個)ほか
    7日以内出荷
    仕様電源スイッチの種類:ハイサイドNMOS 、 スイッチオン抵抗:5Ω 、 出力数:1 、 電圧:60V 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SOT-223 、 ピン数:3 + Tab 、 寸法:6.5 x 3.5 x 1.6mm 、 長さ:6.5mm 、 幅:3.5mm 、 高さ:1.6mm 、 動作温度 Max:+125 ℃ 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 産業用ハイサイドスイッチ、Infineon. Infineonのシングル及びマルチチェック保護スマートハイサイドNMOSパワースイッチ製品です。RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Pチャンネル MOSFET INFINEON

    Infineon Pチャンネル MOSFET

    INFINEON
    3,798税込4,178
    1袋(20個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧:60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:130 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2.1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-223●実装タイプ:表面実装●ピン数:3+Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●最大パワー消費:10.8 W●1チップ当たりのエレメント数:1●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET

    INFINEON
    529税込582
    1袋(2個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon Pチャンネル パワーMOSFET INFINEON

    Infineon Pチャンネル パワーMOSFET

    INFINEON
    1,198税込1,318
    1袋(10個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル 小信号 MOSFET INFINEON

    Infineon Nチャンネル 小信号 MOSFET

    INFINEON
    829税込912
    1袋(5個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon N Pチャンネル 小信号 MOSFET INFINEON

    Infineon N Pチャンネル 小信号 MOSFET

    INFINEON
    3,398税込3,738
    1袋(60個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFETトランジスタ INFINEON

    Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFETトランジスタ

    INFINEON
    49,980税込54,978
    1リール(1000個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧:60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:300 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:2V●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-223●実装タイプ:表面実装●ピン数:3+Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:小信号●最大パワー消費:1.8 W●シリーズ:SIPMOS●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon デュアル Pチャンネル パワーMOSFET INFINEON

    Infineon デュアル Pチャンネル パワーMOSFET

    INFINEON
    2,798税込3,078
    1袋(25個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon デュアル Nチャンネル パワーMOSFET INFINEON

    Infineon デュアル Nチャンネル パワーMOSFET

    INFINEON
    1,698税込1,868
    1袋(10個)ほか
    7日以内出荷
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