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  • Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEON

    Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

    INFINEON
    779税込857
    1袋(10個)ほか
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  • Infineon Nチャンネル MOSFET700 V 63.3 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET700 V 63.3 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン

    INFINEON
    1,598税込1,758
    1個
    7日以内出荷
    Infineon のクール MOS の設計は、超ジャンクション( SJ )の原理に基づいて設計された Infineon Technologies のパイオニアである、高電圧 MOSFET 向けの革新的な技術です。600 V Cool MOS C7 シリーズは、 SJ MOSFET サプライヤの経験と高度な技術革新を兼ね備えた製品です。600 V C7 は、 RDS ( on ) * A が 1 オーム * mm 2 未満の初めてのテクノロジーです。鉛フリーリードめっき RoHS対応 優れた熱抵抗:アバランシェ 100 % テスト済み IEC61249-2-23 準拠のハロゲンフリーです
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 63.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM)実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 0.048 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFET INFINEON

    Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFET

    INFINEON
    1,998税込2,198
    1袋(50個)
    7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 34 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 34 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン

    INFINEON
    1,698税込1,868
    1個
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 34 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vパッケージタイプ TO-247実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 100 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 313 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 1mm動作温度 Min -55 ℃mmInfineon CoolMOS(TM)C3パワーMOS(TM)ETRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Pチャンネル パワーMOSFET INFINEON

    Infineon Pチャンネル パワーMOSFET

    INFINEON
    2,598税込2,858
    1袋(10個)
    7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET

    INFINEON
    339税込373
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    7日以内出荷
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