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Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEONInfineon Nチャンネル パワーMOSFETINFINEON
1,298税込1,428
1袋(2個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 34 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET650 V 34 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON
1,498税込1,648
1個
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 34 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vパッケージタイプ TO-247実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 100 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 313 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 1mm動作温度 Min -55 ℃mmInfineon CoolMOS(TM)C3パワーMOS(TM)ETRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET700 V 63.3 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET700 V 63.3 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON
999税込1,099
1個
7日以内出荷
Infineon のクール MOS の設計は、超ジャンクション( SJ )の原理に基づいて設計された Infineon Technologies のパイオニアである、高電圧 MOSFET 向けの革新的な技術です。600 V Cool MOS C7 シリーズは、 SJ MOSFET サプライヤの経験と高度な技術革新を兼ね備えた製品です。600 V C7 は、 RDS ( on ) * A が 1 オーム * mm 2 未満の初めてのテクノロジーです。鉛フリーリードめっき RoHS対応 優れた熱抵抗:アバランシェ 100 % テスト済み IEC61249-2-23 準拠のハロゲンフリーです
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 63.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM)実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 0.048 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
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