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  • Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEON

    Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

    INFINEON
    829,800税込912,780
    1リール(2000個)
    翌々日出荷から7日以内出荷
  • Infineon MOSFETドライバ INFINEON

    Infineon MOSFETドライバ

    INFINEON
    2,398税込2,638
    1セット(5個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET500 V 6.6 A スルーホール パッケージTO-220 FP 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET500 V 6.6 A スルーホール パッケージTO-220 FP 3 ピン

    INFINEON
    1,998税込2,198
    1袋(25個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 6.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ CoolMOS(TM) CE実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 0.95 Ω最大ゲートしきい値電圧 3.5V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFET INFINEON

    Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFET

    INFINEON
    2,398税込2,638
    1袋(50個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon Pチャンネル パワーMOSFET INFINEON

    Infineon Pチャンネル パワーMOSFET

    INFINEON
    1,698税込1,868
    1袋(20個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル 小信号 MOSFET INFINEON

    Infineon Nチャンネル 小信号 MOSFET

    INFINEON
    1,598税込1,758
    1袋(25個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon N Pチャンネル 小信号 MOSFET INFINEON

    Infineon N Pチャンネル 小信号 MOSFET

    INFINEON
    3,398税込3,738
    1袋(60個)ほか
    7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン

    INFINEON
    1,698税込1,868
    1袋(100個)
    翌々日出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = OptiMOS実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃Infineon OptiMOS小信号MOSFETRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 900 mA スルーホール パッケージTSOP-6 INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 900 mA スルーホール パッケージTSOP-6

    INFINEON
    599税込659
    1袋(10個)
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 900 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = TSOP-6実装タイプ = スルーホールRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 50 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 50 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン

    INFINEON
    3,198税込3,518
    1袋(5個)
    7日以内出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon MOSFETゲートドライバ 500 mA SOIC 1 8-Pin ハイサイド 非反転 表面実装 INFINEON

    Infineon MOSFETゲートドライバ 500 mA SOIC 1 8-Pin ハイサイド 非反転 表面実装

    INFINEON
    25,980税込28,578
    1セット(95個)
    7日以内出荷
    Infineon MOSFET / IGBT ドライバ ハイサイド. Infineon のゲートドライバ IC は、ハイサイド構成で MOSFET 又は IGBT パワーデバイスを制御します。
    仕様出力電流 = 500 mA供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC出力数 = 1トポロジー = ハイサイドドライバ数 = 1極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン

    INFINEON
    6,598税込7,258
    1セット(500個)
    7日以内出荷
    Infineon OptiMOSデュアルパワーMOSFET
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 60 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 6最大ドレイン-ソース間抵抗 4 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.5V最低ゲートしきい値電圧 1.5V最大パワー消費 500 mWトランジスタ構成 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 2mm動作温度 Min -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET20 V 950 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET20 V 950 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン

    INFINEON
    39,980税込43,978
    1セット(3000個)
    7日以内出荷
    Infineon OptiMOS2パワーMOSFETファミリ. Infineonの OptiMOS2 Nチャンネルファミリは、同社の電圧グループ内で最も低いON抵抗を実現しています。 Power MOSFETシリーズは、高周波通信、データ通信、太陽光発電、低電圧デバイス、サーバー電源を含む多くの用途で使用できます。 OptiMOS 製品ファミリの範囲は20 V以上です。様々なパッケージタイプが揃っています。
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 950 mA最大ドレイン-ソース間電圧 20 Vシリーズ OptiMOS(TM) 2実装タイプ 表面実装ピン数 6最大ドレイン-ソース間抵抗 600 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 1.2V最低ゲートしきい値電圧 0.7V最大パワー消費 500 mWトランジスタ構成 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 -12 V, +12 V幅 1.25mm高さ 0.8mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET700 V 83 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET700 V 83 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン

    INFINEON
    2,298税込2,528
    1個
    7日以内出荷
    Infineon CoolMOS-C6 / C7パワーMOSFET
    仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 83 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM) C6実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 37 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.5V最低ゲートしきい値電圧 2.5V最大パワー消費 500 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V1チップ当たりのエレメント数 1mm順方向ダイオード電圧 0.85VRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 50 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 50 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピン

    INFINEON
    11,980税込13,178
    1セット(25個)
    7日以内出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 5.3mm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
  • Pチャンネル パワーMOSFET 38 A 表面実装 パッケージD2PAK TO-263 3 ピン 1セット 800個入 INFINEON

    Pチャンネル パワーMOSFET 38 A 表面実装 パッケージD2PAK TO-263 3 ピン 1セット 800個入

    INFINEON
    279,800税込307,780
    1セット(800個)
    7日以内出荷
    PチャンネルパワーMOSFET100V→150V、Infineon InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、適したシステム効率を発揮できます。
    仕様●チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:38 A●最大ドレイン-ソース間電圧:100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:60 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:D2PAK (TO-263)●実装タイプ:表面実装●ピン数:3●チャンネルモード:エンハンスメント型●カテゴリー:パワーMOSFET●最大パワー消費:170 W●トランジスタ素材:Si●RoHS適合状況:適合●コード番号:165-5892アズワン品番68-4150-82
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