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Infineon Nチャンネル MOSFET700 V 43.3 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON￥1,298税込￥1,428
1個
5日以内出荷
Infineon CoolMOS CFDパワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 43.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM) CFD実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 80 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大パワー消費 391 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V動作温度 Max +150 ℃mm順方向ダイオード電圧 0.9VRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET700 V 83 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON￥2,398税込￥2,638
1個
5日以内出荷
Infineon CoolMOS-C6 / C7パワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 83 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM) C6実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 37 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.5V最低ゲートしきい値電圧 2.5V最大パワー消費 500 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V1チップ当たりのエレメント数 1mm順方向ダイオード電圧 0.85VRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 47 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON￥1,998税込￥2,198
1個
5日以内出荷
Infineon CoolMOS-C3パワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 47 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 415 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 252 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 34 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON￥1,698税込￥1,868
1個
5日以内出荷
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 34 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vパッケージタイプ TO-247実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 100 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3.9V最低ゲートしきい値電圧 2.1V最大パワー消費 313 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 1mm動作温度 Min -55 ℃mmInfineon CoolMOS(TM)C3パワーMOS(TM)ETRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 130 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥829税込￥912
1個
5日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 130 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 520 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 161 nC @ 10 Vmm高さ = 20.7mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 350 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥989税込￥1,088
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 350 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 380000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 220 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 195 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥389税込￥428
1個
5日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ；sub>；ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。 ；/sub>；この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 195 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.2V最大パワー消費 = 366 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 20.7mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 94 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥999税込￥1,099
1個
5日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 94 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 580 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 180 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル IGBT 600 V 45 A， 3-Pin TO-247 シングルINFINEON￥1,398税込￥1,538
1袋(2個)
7日以内出荷
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、600 650 V. InfineonのIGBTトランジスタは、600 650 Vのコレクタ-エミッタ間の定格電圧を備え、TrenchStop技術を採用しています。この製品は、高速リカバリアンチパラレルダイオードを搭載したデバイスを含んでいます。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 600 650 VCEsatが非常に低い ターンオフ損失が低い ショートテール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 45 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 187 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 16.13 x 5.21 x 21.1mm動作温度 Min = -40 ℃pFRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 270 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON￥569税込￥626
1個
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 270 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 200 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥999税込￥1,099
1袋(2個)
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 200 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 280000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 20.7mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル IGBT 1200 V 30 A， 3-Pin TO-247 シングルINFINEON￥1,798税込￥1,978
1袋(2個)
7日以内出荷
Infineon TrenchStop IGBTトランジスタ、1100 → 1600 V. Infineonのコレクタ-エミッタ電圧の定格が1100 ～ 1600 VのIGBTトランジスタ製品です。TrenchStopテクノロジーを使用しています。このシリーズには、高速度、高速回復アンチパラレルダイオード搭載の素子が含まれています。. コレクタ-エミッタ電圧範囲: 1100 →1600 V 超低VCEsat 低ターンオフ損失 短テール電流 低EMI 最大ジャンクション温度: 175 ℃
仕様最大連続コレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 217 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 16.03 x 5.16 x 21.1mm動作温度 Min = -40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 195 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON￥7,798税込￥8,578
1セット(25個)
7日以内出荷
Infineon StrongIRFET パワーMOSFET. Infineon StrongIRFET ；sub>；ファミリは、低R DS(on)と高電流を対応するように最適化されています。 ；/sub>；この製品は、ゲート、アバランシェ、ダイナミックDV/DTの耐久性が向上しており、モータードライブ、電動工具、インバータ、バッテリ管理など、性能と耐久性が求められる産業用低周波アプリケーションに最適です。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 195 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = StrongIRFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 341 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 274 nC @ 10 Vmm高さ = 20.7mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 160 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON￥7,198税込￥7,918
1セット(25個)
7日以内出荷
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 160 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.3 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 310 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 19.71mm高さ = 5.31mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET700 V 63.3 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンINFINEON￥1,598税込￥1,758
1個
7日以内出荷
Infineon のクール MOS の設計は、超ジャンクション( SJ )の原理に基づいて設計された Infineon Technologies のパイオニアである、高電圧 MOSFET 向けの革新的な技術です。600 V Cool MOS C7 シリーズは、 SJ MOSFET サプライヤの経験と高度な技術革新を兼ね備えた製品です。600 V C7 は、 RDS ( on ) * A が 1 オーム * mm 2 未満の初めてのテクノロジーです。鉛フリーリードめっき RoHS対応 優れた熱抵抗：アバランシェ 100 % テスト済み IEC61249-2-23 準拠のハロゲンフリーです
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 63.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ CoolMOS(TM)実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 0.048 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 110 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥199税込￥219
1個
7日以内出荷
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 110 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 200000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 170 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 65 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥13,980税込￥15,378
1セット(25個)
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 65 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 25 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 330 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 93 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥24,980税込￥27,478
1セット(25個)
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 93 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14.5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 520 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm高さ = 20.7mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥3,998税込￥4,398
1セット(25個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 52 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 20.3mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 180 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥1,998税込￥2,198
1袋(2個)
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 180 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 370 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET150 V 78 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥759税込￥835
1袋(2個)
7日以内出荷
モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 78 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 5V最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 310000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 20.3mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET75 V 209 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥12,980税込￥14,278
1セット(25個)
7日以内出荷
Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V. Infineon のディスクリート HEXFET R パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 209 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 75 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 470 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vトランジスタ素材 = Simm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 50 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥2,698税込￥2,968
1袋(5個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 300 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 42 A スルーホール パッケージTO-247AC 3 ピンINFINEON￥5,898税込￥6,488
1セット(25個)
7日以内出荷
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 42 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 160 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V動作温度 Max = +175 ℃mm高さ = 20.3mmRoHS指令(10物質対応)対応
