カテゴリ
- 制御機器(17)
絞り込み
ブランド
- INFINEON
- モノタロウ(4)
- コクヨ(22)
- SIEMENS(4)
- ビーライン(2)
- キングジム(1)
- ノーブランド(1)
エコロジープロダクト
RoHS10物質対応(16)
「neos a4」の検索結果
Infineon N， Pチャンネル MOSFET30 V 3 A、4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
INFINEON￥199,800税込￥219,7801セット(4000個)7日以内出荷デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon。InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFETRデバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。仕様チャンネルタイプ = N， P、最大連続ドレイン電流 = 3 A、4 A、最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V、シリーズ = HEXFET、実装タイプ = 表面実装、ピン数 = 8、最大ドレイン-ソース間抵抗 = 80 mΩ， 160 mΩ、チャンネルモード = エンハンスメント型、最大ゲートしきい値電圧 = 1V、最低ゲートしきい値電圧 = 1V、最大パワー消費 = 1.4 W、トランジスタ構成 = 絶縁型、最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V、動作温度 Max = +150 ℃mm、高さ = 1.5mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon MOSFETゲートドライバ 4 A SOIC8N 8-Pin
INFINEON￥1,998税込￥2,1981袋(5個)7日以内出荷仕様出力電流 = 4 A供給電圧 = 20Vピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC8NnsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET800 V 4 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
INFINEON￥649税込￥7141袋(2個)7日以内出荷Infineon CoolMOSC3パワーMOSFET仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3.9V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 63 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 23 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 180 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON￥649税込￥7141袋(2個)7日以内出荷モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 180 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 370 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V， +16 V動作温度 Max = +175 ℃動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 190 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON￥479税込￥5271袋(2個)7日以内出荷モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 190 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 220000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 100 nC @ 10 Vmm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 160 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
INFINEON￥619税込￥6811袋(2個)7日以内出荷モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 160 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET
INFINEON￥1,998税込￥2,1981袋(20個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：130 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2.1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大パワー消費：10.8 W●1チップ当たりのエレメント数：1●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
Pチャンネル パワーMOSFET 38 A 表面実装 パッケージD2PAK TO-263 3 ピン 1セット 800個入
INFINEON￥299,800税込￥329,7801セット(800個)7日以内出荷PチャンネルパワーMOSFET100V→150V、Infineon InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、適したシステム効率を発揮できます。仕様●チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：38 A●最大ドレイン-ソース間電圧：100 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：60 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：D2PAK (TO-263)●実装タイプ：表面実装●ピン数：3●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：パワーMOSFET●最大パワー消費：170 W●トランジスタ素材：Si●RoHS適合状況：適合●コード番号：165-5892アズワン品番68-4150-82
Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 190 A 表面実装 パッケージD2PAK-7 7 ピン
INFINEON￥1,698税込￥1,8681袋(2個)7日以内出荷NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 190 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 7最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 380 W最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 9.65mm高さ = 4.83mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 161 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
INFINEON￥1,198税込￥1,3181袋(10個)7日以内出荷NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 161 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最低ゲートしきい値電圧 = 1.4V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon システムオンチップ マイクロコントローラ CMOS CY8C4245AXI-483
INFINEON￥199,800税込￥219,7801セット(320個)7日以内出荷仕様●プロセッシングユニット： マイクロコントローラ●アプリケーション： 自動車， 静電容量方式， コントローラ， 組み込み， フラッシュ， LCD， LED， USB●テクノロジー： CMOS●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： TQFP●ピン数： 44●寸法： 10×10×1.4mm●高さ： 1.4mm●長さ： 10mm●動作供給電圧 Max： 5.5 V●動作温度 Max： +85 ℃●動作供給電圧 Min： 1.71 V●動作温度 Min： -40 ℃●幅： 10mm●PSoC 4 (ARM Cortex-M0コア)、Cypress. Cypress Semiconductor PSoC 4 (プログラム可能な組み込みシステムオンチップ)ファミリには、ARM Cortex-M0プロセッサが採用されており、4100と4200の製品ファミリのプラットフォームアーキテクチャはどちらもマイクロコントローラと、コンパレータモード付きオペアンプ、デジタルプログラマブルロジック、A/Dコンバータ、通信デバイス、タイミングデバイスを組み合わせた構成になっています。PSoC4プラットフォームでは、設計や新たな用途に対応できるように各コントローラで相互に互換性が保たれています。. 32ビットMCUサブシステム 24 MHz ARM Cortex-M0 CPU (単一サイクル乗算機能搭載) ( PSoC 4100 ファミリ) 48 MHz ARM Cortex-M0 CPU (単一サイクル乗算機能搭載) ( PSoC 4200 ファミリ) 最大32 kBのフラッシュ(読み取りアクセラレータ付) 最大4 kBのSRAM / SRAM+ PSoC 4プラットフォームのメンバーに対応RoHS指令(10物質対応)対応
