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  • インフィニオン, ホール効果センサ IC INFINEON

    インフィニオン, ホール効果センサ IC

    INFINEON
    599税込659
    1袋(5個)ほか
    当日出荷から7日以内出荷
  • IRL540NPBF INFINEON

    IRL540NPBF

    INFINEON
    289税込318
    1個
    当日出荷
  • IRLZ44NPBF INFINEON

    IRLZ44NPBF

    INFINEON
    229税込252
    1個
    欠品中
  • IRF4905PBF INFINEON

    IRF4905PBF

    INFINEON
    269税込296
    1個
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  • IRF520NPBF INFINEON

    IRF520NPBF

    INFINEON
    90税込99
    1個
    欠品中
  • IRFZ44VPBF INFINEON

    IRFZ44VPBF

    INFINEON
    209税込230特価
    1個
    当日出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 33 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    1,898税込2,088
    1袋(20個)
    当日出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 33 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 130 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon 開発 ボード CY8CKIT-059 INFINEON

    Infineon 開発 ボード CY8CKIT-059

    INFINEON
    3,998税込4,398
    1個
    当日出荷
    「スナップアウェイ」プログラマ/デバッガ CY8CKIT-059 PSoC 5LPプロトタイピングキット. CY8CKIT-059 PSoC 5LPプロトタイプ開発キットは、使いやすくコスト効率の高いプロトタイププラットフォームとして設計されています。このキットは、比類のない高精度アナログと柔軟性のあるカスタムシステムソリューションを設計することができます。この開発キットはまた、信号取得、信号処理、高精度、高帯域幅で柔軟性の高い制御の現代的な手法を提供します。 設計者は、PSoC 5LPとPSoC Creatorコンポーネントを組み合わせ、設計スケジュールを短縮し、市場投入期間を短縮できます。このキットには、PSoC 5LPデバイスをエンドシステムに簡単に開発・統合するためのプラットフォームとなるのと同時に、デバイスサンプルの代わりとなる低コストの代替品になります。. オンボードの内容. - PSoC 5LP デバイス - PSoC 5LPヘッダポートJ1 / J2 - Micro-USB コネクタ、 J6 - PSoC 5LP プログラム / デバッグ JTAG ヘッダ、 J5 - KitProg ( PSoC 5LP )デバイス - KitProgポート、J8 / J9 (GPIO) - SWD接続、J3 / J7 - PCB USB コネクタ - アンバーLED x 1 (電源) - 緑LED x 1 (ステータス) - 青LED x 1 (ユーザー) - ユーザープッシュボタンとリセットボタン - 外部リファレンスコンデンサ( ADC バイパス) - CapSense コンデンサ (CMOD) - プログラミングコネクタ、 J3 - 穴開き簡単に取り付けられるボードデザイン 特長 - 最高速USB 2.0接続でプロトタイプを作成するためのMicro-USBヘッダ - 32ビットARM Cortex M3 CPUコア - 0.5 V 、シングルセルバッテリ駆動からのブーストスタートアップ - 300 nA低リークハイバネーション低電力モード - 汎用I/Oシステム - デジタルペリフェラル - プログラミング/デバッグ/トレース - 精密でプログラム可能なクロック周波数 - PSoC Creator対応 アプリケーション 組込み設計と開発
    仕様分類 = 開発 ボードテクノロジー = PSoCデバイスコア = ARM Cortex-M3プロセッサファミリ名 = PSoCプロセッサ品番 = CY8C5888LTI-LP097プロセッサ種類 = MCURoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon 2軸 傾斜センサ INFINEON

    Infineon 2軸 傾斜センサ

    INFINEON
    4,598税込5,058
    1袋(10個)ほか
    当日出荷から7日以内出荷
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEON

    Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

    INFINEON
    439税込483
    1袋(5個)ほか
    翌々日出荷から7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 343 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 343 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    1,498税込1,648
    1袋(2個)
    翌々日出荷
    モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 343 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 375000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 108 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
  • IRFP4468PBF INFINEON

    IRFP4468PBF

    INFINEON
    599税込659
    1個
    翌々日出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 260 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET30 V 260 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    589税込648
    1袋(2個)
    翌々日出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 30 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 260 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.35V最低ゲートしきい値電圧 = 1.35V最大パワー消費 = 230 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 57 nC @ 4.5 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 36 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 36 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    269税込296
    1袋(2個)
    翌々日出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 36 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 92000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vトランジスタ素材 = Simm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon電流モード PWMコントローラ INFINEON

    Infineon電流モード PWMコントローラ

    INFINEON
    799税込879
    1袋(2個)ほか
    翌々日出荷から7日以内出荷
    AC-DC内蔵電源ステージ-CoolSET、Infineon.InfineonオフラインSMPS電流モードコントローラには、内蔵650VCoolMOS及びスタートアップセル(周波数ジッタモード)が搭載されています。 PMICBiCMOSテクノロジーは26VのVcc範囲を備えているので、2次側にCV/CC調整を適用すると、補助電源の変動に対応します。 この製品はアクティブなバーストモードも備えており、低スタンバイ電力だけでなく、自動リスタートモード機能を使用して、Vcc化電圧/低電圧、出力オープンループと過熱から保護します。 ICE3B1565Jは、固定周波数/電流モード/フライバックPWMコントローラで、スマートメータ、DVDプレーヤー、セットトップボックス、ゲーム機とLEDTVなどの多様な用途で使用できます。 低スタンバイ電力<100mW)変調型ゲートドライブ低EMIノイズ。
    出力数PWM:1コントロール電流ピン数(ピン)8
  • Infineon デバッガ デバッガ, プログラマ, CY8CKIT-002 INFINEON

    Infineon デバッガ デバッガ, プログラマ, CY8CKIT-002

    INFINEON
    26,980税込29,678
    1個
    翌々日出荷
    Microsoft Windows XP/Windows Vista/Windows 7のPCが必要です。PSoCR MiniProg3プログラム/デバッグキット. Cypress SemiconductorのCY8CKIT-002 PSoCR MiniProg3プログラム/デバッグキットは低コストの拡張キットです。Cypressの8ビット / 32ビットPSoCデバイス用に独自のシステムを開発する開発者を対象としています。このキットは、PSoC 1、PSoC 3、PSoC 4、PSoC 5LPアーキテクチャ用のプログラマと、PSoC 3、PSoC 4、PSoC 5LPアーキテクチャ用のデバッグツールです。MiniProg3は、JTAG、SWD、ISSP、I2Cなど、さまざまなプログラミングとデバッグインターフェースに柔軟に対応します。プログラミングの際、MiniProg3は、1.5V → 5.5VのI/O電圧レベルを使用してターゲットデバイスとの通信を可能にします。さらにMiniProg3は、シンプルなターゲットボードに1.8 V/2.5 V/3.3 V/5 Vの4種類の電圧レベルで電力を供給できます。キットの内容 - MiniProg3 プログラマ / デバッガ -10 ピンリボンケーブル - USB A-MiniB ケーブル - クイックスタートガイド 用途 - 組込み設計/開発
    仕様プロダクトタイプ = デバッガ, プログラマRoHS指令(10物質対応)対応
  • IRFP260NPBF INFINEON

    IRFP260NPBF

    INFINEON(1件のレビュー)
    759税込835
    1個
    翌々日出荷
  • IRF1404PBF INFINEON

    IRF1404PBF

    INFINEON
    349税込384
    1個
    翌々日出荷
  • IRF9Z24NPBF INFINEON

    IRF9Z24NPBF

    INFINEON
    93税込102
    1個
    翌々日出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET75 V 80 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET75 V 80 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    1,498税込1,648
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 75 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 140 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 4.82mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Pチャンネル MOSFET100 V 38 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン INFINEON

    Infineon Pチャンネル MOSFET100 V 38 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

    INFINEON
    2,798税込3,078
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 38 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 150 nC @ 10 Vmm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 18 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET200 V 18 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン

    INFINEON
    1,398税込1,538
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    NチャンネルパワーMOSFET 150 → 600 V、Infineon. InfineonのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon 2 GHz RFアンプ IC, 4.5 V, 4-Pin SOT-343 INFINEON

    Infineon 2 GHz RFアンプ IC, 4.5 V, 4-Pin SOT-343

    INFINEON
    1,898税込2,088
    1袋(10個)
    翌々日出荷
    RFアンプ、Infineon. Infineon のRF低ノイズアンプ(LNA)製品は、MMIC、GPS、ゲイン及びPCSの他に、ブロードバンドタイプ及びGlonassフロントエンドモジュールに対応しています。 このRFアンプは、低消費電力、データの高速受信を特長とし、ESD保護機能を備え、モバイル機器で使用されます。 GPS / Glonassモジュールは、パーソナルナビゲーションデバイス(PND)、タブレット、カメラ及び携帯電話で広く使用されています。
    仕様アンプタイプ = ブロードバンドMMIC標準パワーゲイン = 19 dB標準出力パワー = 18dBm標準ノイズ = 2.6dB回路数 = 1最大動作周波数 = 2 GHz実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-343ピン数 = 4寸法 = 2 x 1.25 x 0.8mm高さ = 0.8mm長さ = 2mm動作温度 Min = -65 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン INFINEON

    Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 80 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン

    INFINEON
    3,198税込3,518
    1袋(5個)
    翌々日出荷
    Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ;sup>;R ;/sup>;小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
    仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大パワー消費 = 340 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm高さ = 15.95mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon PNP トランジスタ INFINEON

    Infineon PNP トランジスタ

    INFINEON
    1,398税込1,538
    1袋(100個)
    翌々日出荷
  • RF SPDT Switch 6GHz 30dB ESD TSNP6 INFINEON

    RF SPDT Switch 6GHz 30dB ESD TSNP6

    INFINEON
    7,998税込8,798
    1袋(100個)
    翌々日出荷
    仕様RFスイッチRoHS指令(10物質対応)対応
  • SPW20N60C3FKSA1 INFINEON

    SPW20N60C3FKSA1

    INFINEON
    799税込879
    1個
    翌々日出荷
  • IRFZ48NPBF INFINEON

    IRFZ48NPBF

    INFINEON
    119税込131
    1個
    翌々日出荷
  • IRFP7430PBF INFINEON

    IRFP7430PBF

    INFINEON
    379税込417
    1個
    翌々日出荷
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • IRF9530NPBF INFINEON

    IRF9530NPBF

    INFINEON
    209税込230
    1個
    翌々日出荷
  • IRF630NPBF INFINEON

    IRF630NPBF

    INFINEON
    229税込252
    1個
    欠品中
  • IRF3710PBF INFINEON

    IRF3710PBF

    INFINEON
    379税込417
    1個
    翌々日出荷
  • IR2113SPBF INFINEON

    IR2113SPBF

    INFINEON
    739税込813
    1個
    翌々日出荷
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • IRFU120NPBF INFINEON

    IRFU120NPBF

    INFINEON
    149税込164
    1個
    翌々日出荷
  • IRFP2907PBF INFINEON

    IRFP2907PBF

    INFINEON
    669税込736
    1個
    翌々日出荷
    RoHS指令(10物質対応)対応
  • IRFP140NPBF INFINEON

    IRFP140NPBF

    INFINEON
    399税込439
    1個
    翌々日出荷
  • IRFI3205PBF INFINEON

    IRFI3205PBF

    INFINEON
    549税込604
    1個
    翌々日出荷
  • MOSFET N-Ch INFINEON

    MOSFET N-Ch

    INFINEON
    1,698税込1,868
    1袋(10個)ほか
    翌々日出荷から7日以内出荷
    仕様MOSFET
  • SPB80P06PGATMA1 INFINEON

    SPB80P06PGATMA1

    INFINEON
    749税込824
    1個
    翌々日出荷
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