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「ns16」の検索結果
Infineon， SRAM 2Mbit， 128 K x 16 ビット， 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXI
INFINEON￥869税込￥9561袋(2個)7日以内出荷仕様●メモリサイズ： 2Mbit●構成： 128 K x 16 ビット●ワード数： 128k●1ワード当たりのビット数： 16bit●最大ランダムアクセス時間： 45ns●アドレスバス幅： 16bit●クロック周波数： 1MHz●ローパワー： あり●タイミングタイプ： 非シンクロナス●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： VFBGA●ピン数： 48●寸法： 6×8×0.81mm●動作供給電圧 Max： 3.6 Vmm●幅： 8mm●非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 512kbit， 32k x 16， 44-Pin CY7C1020DV33-10ZSXI
INFINEON￥2,198税込￥2,4181袋(2個)7日以内出荷仕様●メモリサイズ： 512kbit●構成： 32k x 16●ワード数： 32k●1ワード当たりのビット数： 16bit●最大ランダムアクセス時間： 10ns●アドレスバス幅： 16bit●クロック周波数： 1MHz●ローパワー： あり●タイミングタイプ： 非シンクロナス●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： TSOP-44●ピン数： 44●寸法： 18.51 x 10.26 x 1.05mm●高さ： 1.05mm●幅： 10.26mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 16Mbit， 1 M x 16ビット， 48-Pin CY62167DV30LL-55ZXI
INFINEON￥2,398税込￥2,6381個7日以内出荷仕様●メモリサイズ： 16Mbit●構成： 1 M x 16ビット●ワード数： 1M●1ワード当たりのビット数： 16bit●最大ランダムアクセス時間： 55ns●アドレスバス幅： 16bit●クロック周波数： 1MHz●ローパワー： あり●タイミングタイプ： 非シンクロナス●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： TSOP●ピン数： 48●寸法： 18.4×12×1.05mm●高さ： 1.05mm●動作温度 Max： +85 ℃mm●非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 16Mbit， 1 M x 16ビット， 48-Pin CY62167EV30LL-45ZXA
INFINEON￥2,898税込￥3,1881個7日以内出荷仕様●メモリサイズ： 16Mbit●構成： 1 M x 16ビット●ワード数： 1M●1ワード当たりのビット数： 16bit●最大ランダムアクセス時間： 45ns●アドレスバス幅： 16bit●クロック周波数： 1MHz●ローパワー： あり●タイミングタイプ： 非シンクロナス●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： TSOP●ピン数： 48●寸法： 18.4×12×1.05mm●高さ： 1.05mm●動作温度 Min： -40 ℃mm●非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 16Mbit， 1 M x 16ビット， 48-Pin CY62167EV30LL-45ZXA
INFINEON￥2,898税込￥3,1881個7日以内出荷非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 16Mbit， 1 M x 16ビット， 48-Pin CY62167DV30LL-55ZXI
INFINEON￥2,398税込￥2,6381個7日以内出荷非同期SRAMメモリ、Cypress Semiconductor仕様メモリサイズ = 16Mbit構成 = 1 M x 16ビットワード数 = 1M1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 55nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 48寸法 = 18.4 x 12 x 1.05mm高さ = 1.05mm幅 = 12mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 2Mbit， 128 K x 16 ビット， 48-Pin CY62137FV30LL-45BVXI
INFINEON￥869税込￥9561袋(2個)7日以内出荷仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128 K x 16 ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = VFBGAピン数 = 48寸法 = 6 x 8 x 0.81mm高さ = 0.81mm動作温度 Max = +85 ℃非同期SRAMメモリ、Cypress SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 512kbit， 32k x 16， 44-Pin CY7C1020DV33-10ZSXI
INFINEON￥2,198税込￥2,4181袋(2個)7日以内出荷仕様メモリサイズ = 512kbit構成 = 32k x 16ワード数 = 32k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 10nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 1MHzローパワー = ありタイミングタイプ = 非シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOP-44ピン数 = 44寸法 = 18.51 x 10.26 x 1.05mm動作供給電圧 Max = 3.6 Vmm幅 = 10.26mmRoHS指令(10物質対応)対応
Cypress Semiconductor， CY62136FV30LL-45Z
INFINEON￥1,998税込￥2,1981袋(5個)7日以内出荷仕様●メモリサイズ： 2Mbit●構成： 128k x 16●ワード数： 128k●1ワード当たりのビット数： 16bit●最大ランダムアクセス時間： 45nsRoHS指令(10物質対応)対応
SRAM 64Mbit， 4 M x 16
INFINEON￥2,498,000税込￥2,747,8001セット(210個)7日以内出荷仕様メモリサイズ = 64Mbit構成 = 4 M x 16ワード数 = 4000k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 55nsRoHS指令(10物質対応)対応
Cypress Semiconductor， CY62136FV30LL-45Z
INFINEON￥1,998税込￥2,1981袋(5個)7日以内出荷仕様メモリサイズ = 2Mbit構成 = 128k x 16ワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 16bit最大ランダムアクセス時間 = 45nsRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 1Mbit， 128 k x 8ビット， 16-Pin CY14B101PA-SFXI
INFINEON￥2,598税込￥2,8581個7日以内出荷Cypress CY14X101PA は、1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 15nsクロック周波数 = 104MHzローパワー = ありタイミングタイプ = シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10.49 x 7.59 x 2.36mm高さ = 2.36mm動作温度 Max = +85 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， SOIC， シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C， FM24CL16B-G
INFINEON￥1,798税込￥1,9781袋(5個)7日以内出荷仕様●メモリサイズ： 16kbit●構成： 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ： シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 3000ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 8●寸法： 4.97×3.98×1.48mm●長さ： 4.97mm●幅： 3.98mm●高さ： 1.48mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon FRAMメモリ， 16kbit， DFN， シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C， FM24CL16B-DG
INFINEON￥1,998税込￥2,1981袋(5個)7日以内出荷仕様●メモリサイズ： 16kbit●構成： 2 K x 8ビット●インターフェースタイプ： シリアル-2 ワイヤー， シリアル-I2C●データバス幅： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 3000ns●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： DFN●ピン数： 8●寸法： 4×4.5×0.7mm●長さ： 4.5mm●幅： 4mm●高さ： 0.7mm●動作温度 Max： +85 ℃●ワード数： 2Kbit●FRAM、サイプレス半導体. 強誘電体RAM( F-RAM )はエネルギー効率に優れており、シリアルとパラレルの両方のインターフェースに対応する不揮発性RAMの中で最も高い信頼性を持っています。末尾が Aの部品は車載用途向けに設計されており、AEC-Q100 認定を取得しています。. 不揮発性強誘電体RAMメモリ 高速書き込み 高耐久性 低消費電力RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon， SRAM 1Mbit， 128 k x 8ビット， 16-Pin CY14B101PA-SFXI
INFINEON￥2,598税込￥2,8581個7日以内出荷仕様●メモリサイズ： 1Mbit●構成： 128 k x 8ビット●ワード数： 128k●1ワード当たりのビット数： 8bit●最大ランダムアクセス時間： 15ns●クロック周波数： 104MHz●ローパワー： あり●タイミングタイプ： シンクロナス●実装タイプ： 表面実装●パッケージタイプ： SOIC●ピン数： 16●寸法： 10.49×7.59×2.36mm●高さ： 2.36mm●動作温度 Max： +85 ℃mm●Cypress CY14×101PA は、 1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、 Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、 SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。RoHS指令(10物質対応)対応
