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  • Infineon, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 16-Pin CY14B101PA-SFXI INFINEON

    Infineon, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 16-Pin CY14B101PA-SFXI

    INFINEON
    ¥2,598税込¥2,858
    1個
    7日以内出荷
    Cypress CY14X101PA は、1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。
    仕様メモリサイズ = 1Mbit構成 = 128 k x 8ビットワード数 = 128k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 15nsクロック周波数 = 104MHzローパワー = ありタイミングタイプ = シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10.49 x 7.59 x 2.36mm高さ = 2.36mm動作温度 Max = +85 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 16-Pin CY14B101PA-SFXI INFINEON

    Infineon, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 16-Pin CY14B101PA-SFXI

    INFINEON
    ¥2,598税込¥2,858
    1個
    7日以内出荷
    仕様●メモリサイズ: 1Mbit●構成: 128 k x 8ビット●ワード数: 128k●1ワード当たりのビット数: 8bit●最大ランダムアクセス時間: 15ns●クロック周波数: 104MHz●ローパワー: あり●タイミングタイプ: シンクロナス●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●ピン数: 16●寸法: 10.49×7.59×2.36mm●高さ: 2.36mm●動作温度 Max: +85 ℃mm●Cypress CY14×101PA は、 1 Mbit nv SRAM [1] とフル機能 RTC をシリアル SPI インターフェース付きのモノリシック集積回路にまとめた製品です。メモリは、それぞれ 128 K ワードの 8 ビットで構成されています。内蔵の不揮発性エレメントには Quantum Trap テクノロジーが組み込まれており、世界で最も信頼性の高い不揮発性メモリを実現します。SRAM は無限の読み取り / 書き込みサイクルを実現しますが、 Quantum Trap セルは信頼性の高い不揮発性データストレージを提供します。SRAM から不揮発性エレメントへのデータ転送( STORE 操作)は、パワーダウン時に自動的に行われます。電源投入時に、不揮発性メモリ( RECALL 動作)から SRAM にデータが復元されます。また、 SPI 命令を使用して STORE 操作と RECALL 操作を開始することもできます。RoHS指令(10物質対応)対応
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