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  • IRF1404PBF INFINEON

    IRF1404PBF

    INFINEON
    499税込549
    1個
    翌々日出荷
  • Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEON

    Infineon Nチャンネル パワーMOSFET

    INFINEON
    3,598税込3,958
    1袋(8個)
    翌々日出荷から7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 160 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 160 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン

    INFINEON
    1,298税込1,428
    1個
    7日以内出荷
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 160 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
  • IRF1405PBF INFINEON

    IRF1405PBF

    INFINEON
    579税込637
    1個
    7日以内出荷
  • Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 169 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET55 V 169 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    11,980税込13,178
    1セット(50個)
    7日以内出荷
    インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V. インフィニオンのディスクリートHEXFETRパワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 169 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 330 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
  • Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 190 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン INFINEON

    Infineon Nチャンネル MOSFET40 V 190 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    INFINEON
    759税込835
    1袋(2個)
    7日以内出荷
    モータ制御 / AC-DC同期整流MOSFET、Infineon. モータ制御MOSFET. Infineonでは、モータ制御用途向けに耐久性の高いNチャンネル / PチャンネルMOSFETデバイスの充実したポートフォリオを揃えています。. 同期整流MOSFET. AC-DC電源向けの同期整流MOSFETのポートフォリオは、電力密度が高く、サイズが小さく、携帯性が優れた、フレキシブルなシステムに関する顧客の要求に適合します。
    仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 190 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 220000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 100 nC @ 10 Vmm高さ = 8.77mmRoHS指令(10物質対応)対応
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