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Infineon Nチャンネル MOSFET110 V 16 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
INFINEON￥279,800税込￥307,7801セット(3000個)7日以内出荷International Rectifier の Infineon 設計の HEXFET R パワー MOSFET は、Advanced Processing 技術を活かして、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。HEXFET パワー MOSFET に期待されるとおりの高速スイッチング及び耐久性の高いデバイス設計と相まって、幅広い用途の設計に適した効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。先進のプロセス技術 動的dv/dt定格 高速スイッチング 完全アバランシェ定格仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 110 Vシリーズ = HEXFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 115 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 4V1チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 電源スイッチIC
INFINEON￥749税込￥8241袋(2個)7日以内出荷PROFETスマートハイサイド電源スイッチ、シングルチャンネル、Infineon. 過負荷保護 電流制限 短絡保護 サーマルシャットダウン 過電圧保護 静電気放電(ESD)保護仕様電源スイッチトポロジ = ハイサイドオン抵抗 = 200mΩ動作供給電圧 Max = 16 V出力数 = 1A実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TO-252ピン数 = 5動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃寸法 = 6.5 x 6.22 x 2.3mmRoHS指令(10物質対応)対応
