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Smart Low Side Power Switch 350mA SCT595
INFINEON￥199,800税込￥219,7801セット(3000個)7日以内出荷仕様HITFETスマートローサイド電源スイッチ、Infineon. HITFET車載スマートローサイドスイッチシリーズは、ESD、加熱、短絡、過負荷状況からの保護を内蔵しています。HITFETファミリは、最大480 mΩのスイッチオン抵抗を備え、RDSonにスケールできます。. 診断又は、ラッチ及び再開保護 簡単に交換可能RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon VHF バラクタ
INFINEON￥2,998税込￥3,2981セット(40個)7日以内出荷仕様ダイオード構成：シングル 、 1チップ当たりのエレメント数：1 、 最小タイオードキャパシタンス：4.3pF 、 最大逆電圧：28V 、 最小チューニングレシオ：5 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SOD-323 、 ピン数：2 、 寸法：1.7 x 1.25 x 0.85mm 、 高さ：0.85mm 、 長さ：1.7mm 、 動作温度 Max：+125 ℃ 、 幅：1.25mm 、 バリキャップダイオード / バラクタダイオード、Infineon. 可変容量ダイオード(一般にバリキャップダイオード、バラクタダイオード、又はチューニングダイオードと呼ばれている)は、電圧の変化による静電容量の変化を必要とするさまざまな用途に有効です。 このダイオードは、RFチューニング、電圧制御発振器やフィルタ、周波数シンセサイザ、マルチプライヤをはじめとする幅広い用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 2 GHz 広帯域 RFアンプ
INFINEON￥3,898税込￥4,2881袋(20個)7日以内出荷仕様アンプタイプ：ブロードバンド●標準パワーゲイン：19.8 dB●標準出力パワー：12dBm●標準ノイズ：2.1dB●1チップ当たりのチャンネル数：1●最大動作周波数：2 GHz●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：SOT-343●ピン数：4●寸法：2 x 1.25 x 0.8mm●高さ：0.8mm●長さ：2mm●幅：1.25mm●RFアンプ、Infineon. Infineon のRF低ノイズアンプ(LNA)製品は、MMIC、GPS、ゲイン及びPCSの他に、ブロードバンドタイプ及びGlonassフロントエンドモジュールに対応しています。 このRFアンプは、低消費電力、データの高速受信を特長とし、ESD保護機能を備え、モバイル機器で使用されます。 GPS / Glonassモジュールは、パーソナルナビゲーションデバイス(PND)、タブレット、カメラ及び携帯電話で広く使用されています。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFETトランジスタ
INFINEON￥49,980税込￥54,9781リール(1000個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：300 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：小信号●最大パワー消費：1.8 W●シリーズ：SIPMOS●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET P-Ch
INFINEON￥42,980税込￥47,2781リール(1000個)7日以内出荷仕様Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET
INFINEON￥3,798税込￥4,1781袋(20個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：130 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：4V●最低ゲートしきい値電圧：2.1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大パワー消費：10.8 W●1チップ当たりのエレメント数：1●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
