Infineon N, Pチャンネル MOSFET30 V 2.3 A 表面実装 パッケージTSOP-6 6 ピンINFINEON7日以内出荷
Infineon の OptimOS P3 + OptiMOS 2 MOSFET は、同じパッケージに収められた N チャンネル及び P チャンネルパワー MOSFET です。発電(太陽光発電マイクロインバータなど)、電源(サーバーや通信など)、消費電力(電気自動車など)の高効率ソリューションです。アバランシェ定格です100 % 鉛フリーで RoHS に適合しています
仕様チャンネルタイプ N, P最大連続ドレイン電流 2.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 6最大ドレイン-ソース間抵抗 0.057 Ω最大ゲートしきい値電圧 2V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 170 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンINFINEON7日以内出荷
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ;sup>;R ;/sup>;小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 170 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 360 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃VRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 330 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンINFINEON7日以内出荷
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ;sup>;R ;/sup>;小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 360 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.3mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 2 GHz 広帯域 RFアンプINFINEON7日以内出荷
仕様アンプタイプ:ブロードバンド●標準パワーゲイン:19.8 dB●標準出力パワー:12dBm●標準ノイズ:2.1dB●1チップ当たりのチャンネル数:1●最大動作周波数:2 GHz●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:SOT-343●ピン数:4●寸法:2 x 1.25 x 0.8mm●高さ:0.8mm●長さ:2mm●幅:1.25mm●RFアンプ、Infineon. Infineon のRF低ノイズアンプ(LNA)製品は、MMIC、GPS、ゲイン及びPCSの他に、ブロードバンドタイプ及びGlonassフロントエンドモジュールに対応しています。 このRFアンプは、低消費電力、データの高速受信を特長とし、ESD保護機能を備え、モバイル機器で使用されます。 GPS / Glonassモジュールは、パーソナルナビゲーションデバイス(PND)、タブレット、カメラ及び携帯電話で広く使用されています。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFETINFINEON7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧:60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:130 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2.1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-223●実装タイプ:表面実装●ピン数:3+Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●最大パワー消費:10.8 W●1チップ当たりのエレメント数:1●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon VHF バラクタINFINEON7日以内出荷
仕様ダイオード構成:シングル 、 1チップ当たりのエレメント数:1 、 最小タイオードキャパシタンス:4.3pF 、 最大逆電圧:28V 、 最小チューニングレシオ:5 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SOD-323 、 ピン数:2 、 寸法:1.7 x 1.25 x 0.85mm 、 高さ:0.85mm 、 長さ:1.7mm 、 動作温度 Max:+125 ℃ 、 幅:1.25mm 、 バリキャップダイオード / バラクタダイオード、Infineon. 可変容量ダイオード(一般にバリキャップダイオード、バラクタダイオード、又はチューニングダイオードと呼ばれている)は、電圧の変化による静電容量の変化を必要とするさまざまな用途に有効です。 このダイオードは、RFチューニング、電圧制御発振器やフィルタ、周波数シンセサイザ、マルチプライヤをはじめとする幅広い用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピンINFINEON7日以内出荷
Infineon OptiMOSデュアルパワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 60 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 6最大ドレイン-ソース間抵抗 4 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.5V最低ゲートしきい値電圧 1.5V最大パワー消費 500 mWトランジスタ構成 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 2mm動作温度 Min -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応