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インフィニオン, ホール効果センサ IC INFINEONインフィニオン, ホール効果センサ ICINFINEON
2,998税込3,298
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Infineon Nチャンネル パワーMOSFET INFINEONInfineon Nチャンネル パワーMOSFETINFINEON
4,298税込4,728
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Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFET INFINEONInfineon Pチャンネル 小信号 MOSFETINFINEON
1,998税込2,198
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Infineon NPN トランジスタ INFINEONInfineon NPN トランジスタINFINEON
1,698税込1,868
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RF SPDT Switch 6GHz 30dB ESD TSNP6 INFINEONRF SPDT Switch 6GHz 30dB ESD TSNP6INFINEON
6,998税込7,698
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翌々日出荷
仕様RFスイッチRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon N, Pチャンネル MOSFET30 V 2.3 A 表面実装 パッケージTSOP-6 6 ピン INFINEONInfineon N, Pチャンネル MOSFET30 V 2.3 A 表面実装 パッケージTSOP-6 6 ピンINFINEON
2,698税込2,968
1袋(50個)
7日以内出荷
Infineon の OptimOS P3 + OptiMOS 2 MOSFET は、同じパッケージに収められた N チャンネル及び P チャンネルパワー MOSFET です。発電(太陽光発電マイクロインバータなど)、電源(サーバーや通信など)、消費電力(電気自動車など)の高効率ソリューションです。アバランシェ定格です100 % 鉛フリーで RoHS に適合しています
仕様チャンネルタイプ N, P最大連続ドレイン電流 2.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 30 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 6最大ドレイン-ソース間抵抗 0.057 Ω最大ゲートしきい値電圧 2V1チップ当たりのエレメント数 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 170 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET60 V 170 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンINFINEON
3,198税込3,518
1袋(250個)
7日以内出荷
Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ;sup>;R ;/sup>;小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 170 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 12 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 360 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 = 1mm動作温度 Min = -55 ℃VRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET60 V 330 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFET60 V 330 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンINFINEON
1,998税込2,198
1袋(50個)
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Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS ;sup>;R ;/sup>;小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = SIPMOSR実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 360 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V幅 = 1.3mm動作温度 Min = -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon 双方向 ESD保護ダイオード INFINEONInfineon 双方向 ESD保護ダイオードINFINEON
3,298税込3,628
1リール(250個)
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル 小信号 MOSFET INFINEONInfineon Nチャンネル 小信号 MOSFETINFINEON
1,998税込2,198
1リール(250個)ほか
7日以内出荷
Infineon 2 GHz 広帯域 RFアンプ INFINEONInfineon 2 GHz 広帯域 RFアンプINFINEON
3,398税込3,738
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様アンプタイプ:ブロードバンド●標準パワーゲイン:19.8 dB●標準出力パワー:12dBm●標準ノイズ:2.1dB●1チップ当たりのチャンネル数:1●最大動作周波数:2 GHz●実装タイプ:表面実装●パッケージタイプ:SOT-343●ピン数:4●寸法:2 x 1.25 x 0.8mm●高さ:0.8mm●長さ:2mm●幅:1.25mm●RFアンプ、Infineon. Infineon のRF低ノイズアンプ(LNA)製品は、MMIC、GPS、ゲイン及びPCSの他に、ブロードバンドタイプ及びGlonassフロントエンドモジュールに対応しています。 このRFアンプは、低消費電力、データの高速受信を特長とし、ESD保護機能を備え、モバイル機器で使用されます。 GPS / Glonassモジュールは、パーソナルナビゲーションデバイス(PND)、タブレット、カメラ及び携帯電話で広く使用されています。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon RFトランジスタ, 高周波, NPN, 表面実装, 55 mA, BFP843H6327XTSA1 INFINEONInfineon RFトランジスタ, 高周波, NPN, 表面実装, 55 mA, BFP843H6327XTSA1INFINEON
1,998税込2,198
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 55 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 2.25 Vパッケージタイプ = SOT-343実装タイプ = 表面実装ピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル MOSFET INFINEONInfineon Pチャンネル MOSFETINFINEON
1,998税込2,198
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ:P●最大連続ドレイン電流:2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧:60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗:130 mΩ●最大ゲートしきい値電圧:4V●最低ゲートしきい値電圧:2.1V●最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V●パッケージタイプ:SOT-223●実装タイプ:表面実装●ピン数:3+Tab●チャンネルモード:エンハンスメント型●最大パワー消費:10.8 W●1チップ当たりのエレメント数:1●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon VHF バラクタ INFINEONInfineon VHF バラクタINFINEON
3,298税込3,628
1セット(40個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成:シングル 、 1チップ当たりのエレメント数:1 、 最小タイオードキャパシタンス:4.3pF 、 最大逆電圧:28V 、 最小チューニングレシオ:5 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SOD-323 、 ピン数:2 、 寸法:1.7 x 1.25 x 0.85mm 、 高さ:0.85mm 、 長さ:1.7mm 、 動作温度 Max:+125 ℃ 、 幅:1.25mm 、 バリキャップダイオード / バラクタダイオード、Infineon. 可変容量ダイオード(一般にバリキャップダイオード、バラクタダイオード、又はチューニングダイオードと呼ばれている)は、電圧の変化による静電容量の変化を必要とするさまざまな用途に有効です。 このダイオードは、RFチューニング、電圧制御発振器やフィルタ、周波数シンセサイザ、マルチプライヤをはじめとする幅広い用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon NPN 抵抗内蔵トランジスタ INFINEONInfineon NPN 抵抗内蔵トランジスタINFINEON
1,698税込1,868
1袋(50個)
7日以内出荷
200mA 40V Schottky Diode Array SOT143 INFINEON200mA 40V Schottky Diode Array SOT143INFINEON
4,598税込5,058
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様ブリッジ整流器RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン INFINEONInfineon Nチャンネル MOSFET60 V 300 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピンINFINEON
5,198税込5,718
1セット(500個)
7日以内出荷
Infineon OptiMOSデュアルパワーMOSFET
仕様チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 300 mA最大ドレイン-ソース間電圧 60 Vシリーズ OptiMOS(TM)実装タイプ 表面実装ピン数 6最大ドレイン-ソース間抵抗 4 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.5V最低ゲートしきい値電圧 1.5V最大パワー消費 500 mWトランジスタ構成 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V1チップ当たりのエレメント数 2mm動作温度 Min -55 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon N Pチャンネル 小信号 MOSFET INFINEONInfineon N Pチャンネル 小信号 MOSFETINFINEON
2,298税込2,528
1袋(60個)ほか
7日以内出荷
Infineon 低ノイズLDO電圧レギュレータ INFINEONInfineon 低ノイズLDO電圧レギュレータINFINEON
1,798税込1,978
1セット(10個)ほか
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LEDドライバ IC 5.6W 5-Pin 1袋 15個入 INFINEONLEDドライバ IC 5.6W 5-Pin 1袋 15個入INFINEON
1,998税込2,198
1袋(15個)
7日以内出荷
仕様●入力電圧:3 → 5.5 V●AC/DC入力電圧:ac●最大出力パワー:5.6W●ピン数:5●コード番号:222-4966アズワン品番65-7243-94
LEDドライバ IC 5.6W 5-Pin 1袋 15個入 INFINEONLEDドライバ IC 5.6W 5-Pin 1袋 15個入INFINEON
1,598税込1,758
1袋(15個)
7日以内出荷
仕様●入力電圧:3 → 5.5 V●AC/DC入力電圧:ac●最大出力パワー:5.6W●ピン数:5アズワン品番65-7247-47
LEDドライバ IC 1mA PWM 調光 6-Pin 1袋 15個入 INFINEONLEDドライバ IC 1mA PWM 調光 6-Pin 1袋 15個入INFINEON
1,698税込1,868
1袋(15個)
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仕様●出力電流:1mA●入力電圧:11 → 25 V●AC/DC入力電圧:dc●減光操作:PWM●ピン数:6アズワン品番65-7253-89
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