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RoHS10物質対応(114)
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IXYS 整流ダイオード， 109A， 1200V スルーホール， 2-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 1.8VIXYS￥2,198税込￥2,418
1個
5日以内出荷
ローム整流ダイオード
ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(構成)シングル整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.8ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)660テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション最大連続順方向電流(A)109ピーク逆回復時間(ns)60
IXYS ファストリカバリー 整流ダイオード， 絶縁型， 30A， 600V パネルマウント， 4-Pin SOT-227B シリコンジャンクション 1.88VIXYS￥4,898税込￥5,388
1個
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ローム整流ダイオード
ピン数(ピン)4ダイオード(タイプ)整流器、(構成)絶縁型整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1.88ピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)250テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション最大連続順方向電流(A)30ピーク逆回復時間(ns)90
IXYS 汎用 整流ダイオード， コモンカソード， 45A， 1200V スルーホール， 3-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 1.37VIXYS￥859税込￥945
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ローム整流ダイオード
ピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)整流器、(構成)コモンカソード整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1.37ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)518テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション最大連続順方向電流(A)45
IXYS ファストリカバリー 整流ダイオード， 絶縁型， 90A， 600V パネルマウント， 4-Pin SOT-227B シリコンジャンクション 2.35VIXYS￥5,998税込￥6,598
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ローム整流ダイオード
ピン数(ピン)4ダイオード(タイプ)整流器、(構成)絶縁型整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)2.35ピーク逆繰返し電圧(V)600テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション最大連続順方向電流(A)90ピーク逆回復時間(ns)35ピーク非繰返し順方向サージ電流(kA)1
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 150 A スルーホール パッケージTO-264 3 ピンIXYS￥3,698税込￥4,068
1個
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NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)26.16ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)150最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)19最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.3kW
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 98 A スルーホール パッケージTO-264 3 ピンIXYS￥3,500税込￥3,850
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NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
高さ(mm)26.16ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)98最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)50最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.3kW
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 60 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンIXYS￥1,798税込￥1,978
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NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polar3ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)60最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.04kW
IXYS Nチャンネル MOSFET600 V 50 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンIXYS￥1,898税込￥2,088
1個
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NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Q3シリーズ.IXYSのQ3クラスのHiperFET(TM)パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100V及び70Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。.高速真性整流器低RDS(オン)及びQG(ゲート電荷量)低真性ゲート抵抗産業用の標準パッケージ低パッケージインダクタンス高電力密度
ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)50最大ドレイン-ソース間電圧(V)600最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)145最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.04kW
IXYS ファストリカバリー 整流ダイオード， 絶縁型， 30A， 1200V パネルマウント， 4-Pin SOT-227B シリコンジャンクション 3.24VIXYS￥4,898税込￥5,388
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ローム整流ダイオード
ピン数(ピン)4ダイオード(タイプ)整流器、(構成)絶縁型整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)3.24ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション最大連続順方向電流(A)30ピーク逆回復時間(ns)150
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 48 A スルーホール パッケージTO-264AA 3 ピンIXYS￥4,498税込￥4,948
1個
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NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)シリーズ
高さ(mm)26.16ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプN材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)48最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲートしきい値電圧(V)4最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費500W
IXYS デュアルサイリスタモジュール， SCRモジュール， 190A， 1600V， MCC162-16IO1IXYS￥12,980税込￥14,278
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UL認証部品MCCシリーズデュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)94×34×30タイプサイリスタ：SCRモジュールピン数(ピン)7動作温度(℃)(Max)+125RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント最大ゲートトリガー電流(mA)150繰返しピーク逆方向電圧(V)1600最大ゲートトリガー電圧(V)2.5定格平均オン電流(A)190最大保持電流(mA)200サージ電流レーティング(kA)6.4
IXYS 汎用 整流ダイオード， シリーズ， 28A， 1200V スルーホール， 3-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 1.6VIXYS￥729税込￥802
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ローム整流ダイオード
ピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)整流器、(構成)シリーズ整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1.6ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)330テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション最大連続順方向電流(A)28
IXYS 整流用 ブリッジダイオード 88A， 1200V， 72 x 42 x 30mm， VUO82-12NO7IXYS￥6,298税込￥6,928
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UL適合E72873.ねじ端子付き三相ブリッジ整流器、VUO82シリーズ、IXYS.ダイレクト銅接着(DCB)セラミック製パッケージ強化された温度及びパワーサイクリング非常に低い順方向電圧降下非常に低い漏洩電流
幅(mm)42寸法(mm)72×42×30ピン数(ピン)5動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプパネルマウントピーク平均順方向電流(A)88ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)820ピーク逆電流(μA)300テクノロジーダイオード：シリコンジャンクションピーク順方向電圧(V)1.6
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 132 A スルーホール パッケージPLUS264 3 ピンIXYS￥4,498税込￥4,948
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NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)132最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)39最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.89kW
IXYS デュアルサイリスタモジュール， SCRモジュール， 116A， 1200V， MCC95-12io1BIXYS￥6,498税込￥7,148
1個
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UL認証部品MCCシリーズデュアルシリーズサイリスタ
寸法(mm)92×20.8×30タイプサイリスタ：SCRモジュールピン数(ピン)7動作温度(℃)(Max)+125RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント最大ゲートトリガー電流(mA)150繰返しピーク逆方向電圧(V)1200最大ゲートトリガー電圧(V)2.5定格平均オン電流(A)116最大保持電流(mA)200サージ電流レーティング(kA)2.4
