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RoHS10物質対応(113)
「ixy」の検索結果

IXYS Nチャンネル IGBT 1200 V 200 A, 3-Pin TO-247 シングル
IXYS¥3,698税込¥4,0681個7日以内出荷IGBTディスクリート、IXYSXPTシリーズ.IXYSのXPT(TM)シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。.高電力密度及び低VCE(sat)逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成10μsの短絡耐量オン状態電圧の正温度係数オプションのSonic-FRD(TM)又はHiPerFRED(TM)ダイオード付属国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ寸法(mm)16.26×5.3×21.46ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール最大連続コレクタ電流(A)200最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)1200最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20チャンネルタイプNトランジスタ構成シングルスイッチングスピード50kHz最大パワー消費1250W
IXYS 整流用 ブリッジダイオード 単相 40A, 800V, 38.3 x 25.07 x 9.6mm, VBO40-08NO6
IXYS¥4,998税込¥5,4981個7日以内出荷ULE72873.ねじ端子付きブリッジ整流器モジュール、VBO40シリーズ、IXYS.ダイレクト銅接着(DCB)絶縁のパッケージ非常に低い漏洩電流非常に低い順方向電圧降下温度特定の強化寸法(mm)38.3×25.07×9.6高さ(mm)9.6ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプパネルマウントピーク逆繰返し電圧(V)800ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)320ピーク逆電流(μA)300テクノロジーダイオード:シリコンジャンクションピーク順方向電圧(V)1.15ブリッジタイプ単相
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 132 A スルーホール パッケージPLUS264 3 ピン
IXYS¥4,198税込¥4,6181個7日以内出荷NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)132最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)39最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.89kW
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 94 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
IXYS¥1,998税込¥2,1981個7日以内出荷NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))幅(mm)5.3シリーズHiperFET,Polar3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)94最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)36最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.04kW
IXYS デュアルサイリスタモジュール, SCRモジュール, 320A, 1600V, MCC310-16IO1
IXYS¥27,980税込¥30,7781個7日以内出荷UL認証部品。MCCシリーズ。デュアルシリーズサイリスタ寸法(mm)116×60×30タイプサイリスタ:SCRモジュールピン数(ピン)7RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント最大ゲートトリガー電流(mA)150繰返しピーク逆方向電圧(V)1600最大ゲートトリガー電圧(V)2定格平均オン電流(A)320繰返しピーク順方向抑止電圧(V)1600最大保持電流(mA)150サージ電流レーティング(kA)9.8
IXYS 汎用 整流ダイオード, シリーズ, 28A, 1200V スルーホール, 3-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 1.6V
IXYS¥719税込¥7911個7日以内出荷ローム整流ダイオードピン数(ピン)3ダイオード(タイプ)整流器、(構成)シリーズ整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1.6ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)330テクノロジーダイオード:シリコンジャンクション最大連続順方向電流(A)28
IXYS 整流ダイオード, 30A, 600V スルーホール, 2-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 2.36V
IXYS¥3,998税込¥4,3981袋(2個)7日以内出荷ローム整流ダイオードピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)2.36ピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200最大連続順方向電流(A)30ピーク逆回復時間(ns)35
IXYS 整流ダイオード, 絶縁型, 123A, 200V パネルマウント, 12-Pin SOT-227B シリコンジャンクション 1.1V
IXYS¥5,598税込¥6,1581個7日以内出荷ローム整流ダイオードピン数(ピン)12ダイオード(タイプ)整流器、(構成)絶縁型整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1.1ピーク逆繰返し電圧(V)200テクノロジーダイオード:シリコンジャンクション最大連続順方向電流(A)123ピーク逆回復時間(ns)50ピーク非繰返し順方向サージ電流(kA)1.3
IXYS 整流ダイオード, 14A, 600V スルーホール, 2-Pin TO-220AC シリコンジャンクション 1.7V
IXYS¥2,998税込¥3,2981袋(5個)7日以内出荷ローム整流ダイオードピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.7ピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)110最大連続順方向電流(A)14ピーク逆回復時間(ns)50
IXYS スイッチングダイオード スルーホール, シングル,エレメント数 1 TO-220AC, 2-Pin 2.04V
IXYS¥2,498税込¥2,7481袋(5個)7日以内出荷ローム整流ダイオード長さ(mm)10.66幅(mm)4.82寸法(mm)10.66×4.82×16.51高さ(mm)16.51ピン数(ピン)2ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-55、(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール
IXYS 汎用 整流ダイオード, 48A, 1600V スルーホール, 2-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 1.18V
IXYS¥4,998税込¥5,4981袋(5個)7日以内出荷ローム整流ダイオードピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式汎用RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.18ピーク逆繰返し電圧(V)1600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)520最大連続順方向電流(A)48
IXYS 整流ダイオード, 70A, 200V スルーホール, 2-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 1.08V
IXYS¥1,198税込¥1,3181個7日以内出荷ローム整流ダイオードピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(構成)シングル整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)1.08ピーク逆繰返し電圧(V)200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)650テクノロジーダイオード:シリコンジャンクション最大連続順方向電流(A)70ピーク逆回復時間(ns)50
Dual Optocoupler High-Voltage Output
IXYS¥2,598税込¥2,8581袋(5個)7日以内出荷仕様最大入力電流 = 1 mA (制御電流)絶縁電圧 = 3750 Vrms特殊機能 = 350 Vp絶縁破壊電圧, 機械挿入可能, ウエーブはんだ付け可能
IXYS ファストリカバリー 整流ダイオード コモンアノード
IXYS¥5,598税込¥6,1581個7日以内出荷仕様ダイオード構成:コモンアノード 、 1チップ当たりのエレメント数:2 、 ピーク逆繰返し電圧:1200V 、 実装タイプ:スクリュー マウント 、 パッケージタイプ:TO-240AA 、 ダイオードテクノロジー:シリコンジャンクション 、 ピン数:3 、 最大順方向降下電圧:2.64V 、 長さ:92mm 、 幅:20.8mm 、 高さ:30mm 、 ピーク逆回復時間:300ns 、 動作温度 Min:-40 ℃ 、 高速リカバリエピタキシャルダイオード(FRED)モジュール、IXYS. 低スイッチング損失 国際標準パッケージRoHS指令(10物質対応)対応
IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 200 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
IXYS¥4,998税込¥5,4981個7日以内出荷NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Max)+175、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)200最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7.5最大ゲートしきい値電圧(V)5最小ゲートしきい値電圧(V)3最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20最大パワー消費680W
IXYS 整流用 ブリッジダイオード 35A, 1600V, 28.5 x 28.5 x 10mm, VUO36-16NO8
IXYS¥2,998税込¥3,2981個7日以内出荷UL適合E72873.プッシュオン端子付き三相ブリッジ整流器、VUO36シリーズ、IXYS.非常に低い漏洩電流非常に低い順方向電圧降下温度特定の強化ねじ1本で簡単に取り付け寸法(mm)28.5×28.5×10高さ(mm)10ピン数(ピン)5動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-40RoHS指令(10物質対応)対応回路構成シングル実装タイプスクリューマウントピーク逆繰返し電圧(V)1600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)600ピーク逆電流(μA)300テクノロジーダイオード:シリコンジャンクションピーク順方向電圧(V)1.7ブリッジタイプ3相
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 115 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
IXYS¥5,498税込¥6,0481個7日以内出荷NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))高さ(mm)9.6ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)115最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル標準ゲートチャージ185nC@10V最大パワー消費700000mW
IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 110 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
IXYS¥1,398税込¥1,5381個7日以内出荷NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))シリーズHiperFET,Polarピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)110最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費480000mW
IXYS サイリスタモジュール, SCR, 54A, 1600V, MCO50-16IO1
IXYS¥5,298税込¥5,8281個7日以内出荷UL適合E72873。MCOシリーズサイリスタモジュール、IXYS。ハイパワーサイリスタモジュール寸法(mm)38.2×25.07×9.6タイプサイリスタ:SCR電圧(V)ピークオンステージ:1.3ピン数(ピン)4RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント最大ゲートトリガー電流(mA)80繰返しピーク逆方向電圧(V)1600最大ゲートトリガー電圧(V)1.4定格平均オン電流(A)54最大保持電流(mA)100サージ電流レーティング(kA)0.8












































