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IXYS Nチャンネル IGBT 1200 V 200 A， 3-Pin TO-247 シングル
IXYS
￥3,698税込￥4,068
1個
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IGBTディスクリート、IXYSXPTシリーズ.IXYSのXPT(TM)シリーズのディスクリートIGBTは、極めて軽量な穴開き薄型ウエハーテクノロジーを採用しており、熱抵抗の低減とエネルギー損失の軽減を実現しています。これらのデバイスでは、低テール電流によって高速なスイッチングが可能です。また、さまざまな業界の規格と独自仕様に沿ったパッケージが用意されています。.高電力密度及び低VCE(sat)逆バイアス安全動作領域(RBSOA)を定格降伏電圧に向かって直角になるように形成10μsの短絡耐量オン状態電圧の正温度係数オプションのSonic-FRD(TM)又はHiPerFRED(TM)ダイオード付属国際規格及び独自仕様の高電圧パッケージ
寸法(mm)16.26×5.3×21.46ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール最大連続コレクタ電流(A)200最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)1200最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20チャンネルタイプNトランジスタ構成シングルスイッチングスピード50kHz最大パワー消費1250W
IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 94 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピン
IXYS
￥1,998税込￥2,198
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NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
幅(mm)5.3シリーズHiperFET，Polar3ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)94最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)36最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.04kW
IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 60 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピン
IXYS
￥1,798税込￥1,978
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NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Polar3(TM)シリーズ.IXYSPolar3(TM)シリーズのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polar3ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)60最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.04kW
IXYS Nチャンネル MOSFET600 V 50 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピン
IXYS
￥1,798税込￥1,978
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NチャンネルパワーMOSFET、IXYSHiperFET(TM)Q3シリーズ.IXYSのQ3クラスのHiperFET(TM)パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100V及び70Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。.高速真性整流器低RDS(オン)及びQG(ゲート電荷量)低真性ゲート抵抗産業用の標準パッケージ低パッケージインダクタンス高電力密度
ピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+150、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)50最大ドレイン-ソース間電圧(V)600最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)145最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-30、+30トランジスタ構成シングル最大パワー消費1.04kW
IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 110 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピン
IXYS
￥1,398税込￥1,538
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NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
シリーズHiperFET，Polarピン数(ピン)3動作温度(℃)(Max)+175RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホールチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)110最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)15最大ゲートしきい値電圧(V)5最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20トランジスタ構成シングル最大パワー消費480000mW
IXYS NチャンネルパワーMOSFET
IXYS
￥1,598～税込￥1,758～
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IXYS Nチャンネル IGBT
IXYS
￥1,798～税込￥1,978～
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IXYS 整流ダイオード， 30A， 600V スルーホール， 2-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 2.36V
IXYS
￥3,998税込￥4,398
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ローム整流ダイオード
ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)2.36ピーク逆繰返し電圧(V)600ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200最大連続順方向電流(A)30ピーク逆回復時間(ns)35
IXYS 整流ダイオード， 30A， 1000V スルーホール， 2-Pin TO-247AD シリコンジャンクション 2.4V
IXYS
￥599税込￥659
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ローム整流ダイオード
ピン数(ピン)2ダイオード(タイプ)整流器、(構成)シングル整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1最大順方向降下電圧(V)2.4ピーク逆繰返し電圧(V)1000ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)210テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション最大連続順方向電流(A)30ピーク逆回復時間(ns)50