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IXYS NチャンネルパワーMOSFET
IXYS
￥2,298～税込￥2,528～
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IXYS Nチャンネル IGBT
IXYS
￥8,198～税込￥9,018～
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IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 200 A スクリューマウントパッケージSOT-227 4 ピン
IXYS
￥4,698税込￥5,168
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NチャンネルパワーMOSFETIXYSHiperFET(TM)Polar(TM)シリーズ.IXYSのNチャンネルパワーMOSFET(高速固有ダイオード搭載)(HiPerFET(TM))
ピン数(ピン)4動作温度(℃)(Max)+175、(Min)-55RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプスクリューマウントチャンネルタイプNチャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)200最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7.5最大ゲートしきい値電圧(V)5最小ゲートしきい値電圧(V)3最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、+20最大パワー消費680W
IXYS 整流ダイオード，絶縁型， 56A， 1200V パネルマウント， 4-Pin SOT-227B シリコンジャンクション 1.2V
IXYS
￥3,998税込￥4,398
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ローム整流ダイオード
ピン数(ピン)4ダイオード(タイプ)整流器、(構成)絶縁型整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1.2ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)700テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション最大連続順方向電流(A)56
IXYS 整流ダイオード，絶縁型， 123A， 200V パネルマウント， 12-Pin SOT-227B シリコンジャンクション 1.1V
IXYS
￥5,598税込￥6,158
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ローム整流ダイオード
ピン数(ピン)12ダイオード(タイプ)整流器、(構成)絶縁型整流方式スイッチングRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)1.1ピーク逆繰返し電圧(V)200テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション最大連続順方向電流(A)123ピーク逆回復時間(ns)50ピーク非繰返し順方向サージ電流(kA)1.3
IXYS ファストリカバリー整流ダイオード，絶縁型， 30A， 1200V パネルマウント， 4-Pin SOT-227B シリコンジャンクション 3.24V
IXYS
￥4,898税込￥5,388
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ローム整流ダイオード
ピン数(ピン)4ダイオード(タイプ)整流器、(構成)絶縁型整流方式ファストリカバリーRoHS指令(10物質対応)対応実装タイプパネルマウント1チップ当たりのエレメント数2最大順方向降下電圧(V)3.24ピーク逆繰返し電圧(V)1200ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200テクノロジーダイオード：シリコンジャンクション最大連続順方向電流(A)30ピーク逆回復時間(ns)150