「47μf 6.3v」の検索結果

KEMET C1210シリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 特長： 動作温度: -55 → +125 ℃ 幅広いケースサイズ、定格電圧、静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など 鉛(Pb)フリー、RoHS / REACH準拠(例外なし)

Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 温度安定範囲: -55 → +125 ℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies &； Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 ケースサイズ: EIA0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220、2225 DC定格電圧: 6.3 V、10 V、16 V、25 V、35 V、50 V、100 V、200 V、250 V 静電容量範囲: 10 pF → 47 μF、静電容量の許容差: ±5 %、±10 %、±20 % 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 温度安定範囲: -55 → +125 ℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies &； Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 ケースサイズ: EIA0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220、2225 DC定格電圧: 6.3 V、10 V、16 V、25 V、35 V、50 V、100 V、200 V、250 V 静電容量範囲: 10 pF → 47 μF、静電容量の許容差: ±5 %、±10 %、±20 % 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 温度安定範囲: -55 → +125 ℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies &； Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies &； Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 ケースサイズ: EIA0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220、2225 DC定格電圧: 6.3 V、10 V、16 V、25 V、35 V、50 V、100 V、200 V、250 V 静電容量範囲: 10 pF → 47 μF、静電容量の許容差: ±5 %、±10 %、±20 % 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 温度安定範囲: -55 → +125 ℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など

Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 温度安定範囲: -55 → +125 ℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies &； Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 ケースサイズ: EIA0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220、2225 DC定格電圧: 6.3 V、10 V、16 V、25 V、35 V、50 V、100 V、200 V、250 V 静電容量範囲: 10 pF → 47 μF、静電容量の許容差: ±5 %、±10 %、±20 % 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies &； Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 ケースサイズ: EIA0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220、2225 DC定格電圧: 6.3 V、10 V、16 V、25 V、35 V、50 V、100 V、200 V、250 V 静電容量範囲: 10 pF → 47 μF、静電容量の許容差: ±5 %、±10 %、±20 % 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

KEMET C1210シリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 動作温度: -55 → +125 ℃ 幅広いケースサイズ、定格電圧、静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など 鉛(Pb)フリー、RoHS / REACH準拠(例外なし)

KEMET C1210シリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 特長： 動作温度: -55 → +125 ℃ 幅広いケースサイズ、定格電圧、静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など 鉛(Pb)フリー、RoHS / REACH準拠(例外なし)

KEMET有機コンデンサ(KO-CAP)は、導電性ポリマーカソードを備えた固体電解コンデンサで、超低ESRを実現し、高周波数で静電容量の保持性能が向上しています。KO-CAPは、低ESRの積層セラミック、高静電容量のアルミ電解、体積効率に優れたタンタルを単一の表面実装パッケージに統合しています。電解液ベースのコンデンサとは異なり、KO-CAPは非常に長い動作寿命と高いリップル電流耐性機能を備えています。T52x / T530は、KO-CAPファミリで最も幅広く各種の電圧範囲、静電容量、及びケースサイズの製品を取り揃えています。48 V dc電圧レールまでの汎用DC用途に最適です。5 mΩまで下がるESR値 温度と電圧の変動に対して安定した静電容量 エージング効果なし 高リップル処理 優れた容積効率 高周波静電容量保持 100 %加速の定常状態経過 100 %サージ電流試験済み ハロゲンフリーエポキシ

KEMET C1210シリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 特長： 動作温度: -55 → +125 ℃ 幅広いケースサイズ、定格電圧、静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など 鉛(Pb)フリー、RoHS / REACH準拠(例外なし)

KEMET C1210シリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 特長： 動作温度: -55 → +125 ℃ 幅広いケースサイズ、定格電圧、静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など 鉛(Pb)フリー、RoHS / REACH準拠(例外なし)

Cシリーズ表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード)温度安定範囲: -55 → +125℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス

Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など

Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など

KEMET C1210シリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 特長： 動作温度: -55 → +125 ℃ 幅広いケースサイズ、定格電圧、静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など 鉛(Pb)フリー、RoHS / REACH準拠(例外なし)

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies &； Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 ケースサイズ: EIA0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220、2225 DC定格電圧: 6.3 V、10 V、16 V、25 V、35 V、50 V、100 V、200 V、250 V 静電容量範囲: 10 pF → 47 μF、静電容量の許容差: ±5 %、±10 %、±20 % 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

KEMET C1210シリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 特長： 動作温度: -55 → +125 ℃ 幅広いケースサイズ、定格電圧、静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など 鉛(Pb)フリー、RoHS / REACH準拠(例外なし)

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies &； Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 ケースサイズ: EIA0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220、2225 DC定格電圧: 6.3 V、10 V、16 V、25 V、35 V、50 V、100 V、200 V、250 V 静電容量範囲: 10 pF → 47 μF、静電容量の許容差: ±5 %、±10 %、±20 % 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies &； Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 ケースサイズ: EIA0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220、2225 DC定格電圧: 6.3 V、10 V、16 V、25 V、35 V、50 V、100 V、200 V、250 V 静電容量範囲: 10 pF → 47 μF、静電容量の許容差: ±5 %、±10 %、±20 % 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies &； Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 ケースサイズ: EIA0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220、2225 DC定格電圧: 6.3 V、10 V、16 V、25 V、35 V、50 V、100 V、200 V、250 V 静電容量範囲: 10 pF → 47 μF、静電容量の許容差: ±5 %、±10 %、±20 % 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies &； Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 ケースサイズ: EIA0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220、2225 DC定格電圧: 6.3 V、10 V、16 V、25 V、35 V、50 V、100 V、200 V、250 V 静電容量範囲: 10 pF → 47 μF、静電容量の許容差: ±5 %、±10 %、±20 % 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 温度安定範囲: -55 → +125 ℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など

KEMET C1210シリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 特長： 動作温度: -55 → +125 ℃ 幅広いケースサイズ、定格電圧、静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など 鉛(Pb)フリー、RoHS / REACH準拠(例外なし)

KEMET C1210シリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 特長： 動作温度: -55 → +125 ℃ 幅広いケースサイズ、定格電圧、静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など 鉛(Pb)フリー、RoHS / REACH準拠(例外なし)

KEMET C1210シリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード)特長：幅広いケースサイズ、定格電圧、無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など 鉛(Pb)フリー、RoHS / REACH準拠(例外なし)

Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 温度安定範囲: -55 → +125 ℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など

KEMETのC0G誘電体は、最高動作温度が125 ℃で、「安定」と見なされています。EIA (Electronics Components， Assemblies &； Materials Association)では、C0G誘電体をクラスIの材料と定義しています。このクラスの部品は温度補償用なので、共振回路の用途や品質と安定した静電容量が求められる用途に適しています。時間と電圧に対するC0Gの静電容量の変動はありません。また、周囲温度に対する静電容量の変動は無視できます。静電容量の変動は、-55～+125 ℃の範囲で±30 ppm/℃に制限されています。動作温度範囲: -55 → +125 ℃、リード(Pb)フリー、RoHS及びREACH準拠 温度安定誘電体 ケースサイズ: EIA0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2220、2225 DC定格電圧: 6.3 V、10 V、16 V、25 V、35 V、50 V、100 V、200 V、250 V 静電容量範囲: 10 pF → 47 μF、静電容量の許容差: ±5 %、±10 %、±20 % 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 必要に応じてSnPb終端仕上げにも対応可能(鉛含有量: 最低5 %)

KEMET C1210シリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 特長： 動作温度: -55 → +125 ℃ 幅広いケースサイズ、定格電圧、静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など 鉛(Pb)フリー、RoHS / REACH準拠(例外なし)

Cシリーズ. 表面実装積層セラミックチップコンデンサ、6.3 → 250 V dc (商用グレード). 温度安定範囲: -55 → +125 ℃ さまざまなケースサイズ、定格電圧、及び静電容量(10 pF → 47 μF) 無極性デバイスのため、設置時の懸念を最小限に抑制 100 %純つや消しスズめっき終端仕上げにより、優れたはんだ付け性を実現 代表的な用途: デカップリング、バイパス、フィルタリング、過渡電圧抑制など