「esd 袋」の検索結果

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 58.1V最小ブレークダウン電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 36Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 25.9AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.41mm幅 = 6.22mmLittelfuseは、半導体を過渡電圧による損傷から保護するための過渡電圧抑制(TVS)ダイオードに特化した企業です。低インクリメンタルサージ抵抗 単方向 / 双方向極性タイプを用意 逆スタンドオフ電圧範囲: 5 →495 V ピーク電力定格: 400 W → 30 kW 高電流保護: 1 kA、3 kA、6 kA、10 kA、15 kASMCJシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。ハロゲンフリー 基板スペースを最適化するための表面実装用途向け 低プロファイルパッケージ 組み込みのストレインリリーフ ガラス不動態化ジャンクション 低インダクタンス 優れたクランプ機能 繰り返し率(デューティサイクル): 0.05 % 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → V(BR)min標準 標準IR: 1 mA未満(10 Vを超える場合) 高温はんだ付け: 端子で250 ℃ / 10秒

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 49.9V最小ブレークダウン電圧 = 34.2V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201最大逆スタンドオフ電圧 = 30.8Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 30.5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 5.3 Dia. x 9.5mmテスト電流 = 1mA1.5KEシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。ピークパルス容量1500 W @ 10/1000 μs波形、繰り返し率(デューティサイクル): 0.01 % DO-201パッケージのガラス不動態化チップジャンクション 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → BVmin (標準) 優れたクランプ機能 標準故障モードは、規定を超える電圧又は電流による短絡 低インクリメンタルサージ抵抗 標準IR: 1 μA未満(VBRの最小値>12 Vの場合) リフローはんだ付けに対する耐熱性を保証: 260 ℃/40秒 / リード長: 0.375インチ(9.5 mm)、テンション: 5 lbs (2.3 kg) VBR @ TJ = VBR @ 25 ℃ x (1 + αT x (TJ - 25)) (αT: 温度係数、標準値は0.1 %) プラスチックパッケージは、Underwriters Laboratoriesに準拠したV-0難燃性等級 つや消し鉛フリースズめっき ハロゲンフリー 鉛フリーE3: 第2レベルの相互接続が鉛不使用で、端子の仕上げ材にスズ(Sn)を採用(IPC/JEDEC J-STD-609A.01)

1.5KEシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。ピークパルス容量1500 W @ 10/1000 μs波形、繰り返し率(デューティサイクル): 0.01 % DO-201パッケージのガラス不動態化チップジャンクション 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → BVmin (標準) 優れたクランプ機能 標準故障モードは、規定を超える電圧又は電流による短絡 低インクリメンタルサージ抵抗 標準IR: 1 μA未満(VBRの最小値>12 Vの場合) リフローはんだ付けに対する耐熱性を保証: 260 ℃/40秒 / リード長: 0.375インチ(9.5 mm)、テンション: 5 lbs (2.3 kg) VBR @ TJ = VBR @ 25 ℃ x (1 + αT x (TJ - 25)) (αT: 温度係数、標準値は0.1 %) プラスチックパッケージは、Underwriters Laboratoriesに準拠したV-0難燃性等級 つや消し鉛フリースズめっき ハロゲンフリー 鉛フリーE3: 第2レベルの相互接続が鉛不使用で、端子の仕上げ材にスズ(Sn)を採用(IPC/JEDEC J-STD-609A.01)

SMBJシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。優れたクランプ機能 低インクリメンタルサージ抵抗 標準IR: 1 uA未満(12 Vを超える場合) 基板スペースを最大限に活用するための表面実装用途向け 低プロファイルパッケージ 標準故障モードは、規定を超える電圧又は電流による短絡 ウィスカ試験 組み込みのストレインリリーフ 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → BVmin (標準) ピークパルス容量600 W @ 10/1000 μs波形、繰り返し率(デューティサイクル): 0.01 % 標準最大温度係数ΔVBR = 0.1 % x VBR @ 25 ℃ x ΔT ガラス不動態化チップジャンクション はんだ付けに対する耐熱性を保証: 端子で260 ℃/40秒 つや消し鉛フリースズめっき ハロゲンフリー

アキシャル双方向1500 W TVSダイオード、1.5KEシリーズ、Littelfuse

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 10.5V最小ブレークダウン電圧 = 6.45V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201最大逆スタンドオフ電圧 = 5.8Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 144.8AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃mmサージ電流レーティング = 200A1.5KEシリーズは、壊れやすい電子機器を雷による電圧過渡やその他の過渡電圧事象から保護するために特別に設計された製品です。ピークパルス容量1500 W @ 10/1000 μs波形、繰り返し率(デューティサイクル): 0.01 % DO-201パッケージのガラス不動態化チップジャンクション 短い応答時間: 1.0 ps未満 @ 0 → BVmin (標準) 優れたクランプ機能 標準故障モードは、規定を超える電圧又は電流による短絡 低インクリメンタルサージ抵抗 標準IR: 1 μA未満(VBRの最小値>12 Vの場合) リフローはんだ付けに対する耐熱性を保証: 260 ℃/40秒 / リード長: 0.375インチ(9.5 mm)、テンション: 5 lbs (2.3 kg) VBR @ TJ = VBR @ 25 ℃ x (1 + αT x (TJ - 25)) (αT: 温度係数、標準値は0.1 %) プラスチックパッケージは、Underwriters Laboratoriesに準拠したV-0難燃性等級 つや消し鉛フリースズめっき ハロゲンフリー 鉛フリーE3: 第2レベルの相互接続が鉛不使用で、端子の仕上げ材にスズ(Sn)を採用(IPC/JEDEC J-STD-609A.01)

PulseGuardR ESDサプレッサ. RoHS準拠、ハロゲン・鉛未使用 超低静電容量 低漏洩電流 高速応答時間 双方向 複数の静電気放電への耐性 ピックアンドプレースプロセスに対応