カテゴリ

制御機器(6)

絞り込み

MICROCHIP
カクダイ(26)
BIGM(丸山製作所)(24)
プロト(16)
セーラー万年筆(12)
BRIDGESTONE(ブリヂストン)(8)
ニッサン(8)
Kawasaki(7)
MAZDA(マツダ)(5)
フォーク(4)
RS PRO(4)
サクラクレパス(3)
PANDUIT(パンドウイット)(3)
三笠産業[工具](3)
testo(テストー)(3)
熱研(3)
三菱ふそう(3)
Vance&Hines(3)
日野自動車(3)
ブランドをもっと見る

RoHS10物質対応(6)

価格で絞り込む

当日・翌日以内・翌々日以内・3日以内・4日以内

「18-0104」の検索結果

特価

本日8月23日(日)は、

の全商品がキャンペーンコード入力で通常価格より10％引き！

キャンペーンコード000026260821

キャンペーンコードのご利用方法※特価からの更なる割引はございません

関連キーワード

マイクロチップ，フラッシュメモリ 32Mbit SPI， 8-Pin， SST26VF032BA-104I/SM
MICROCHIP
￥33,980税込￥37,378
1セット(90個)
7日以内出荷
SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O (SQI)インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。Microchip製のSQIインターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ - ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード低消費電力 - アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能ソフトウェア書き込み保護
仕様メモリサイズ = 32Mbitインターフェースタイプ = SPIパッケージタイプ = SOIJピン数 = 8構成 = 4 M x 8ビット実装タイプ = 表面実装セルタイプ = スプリットゲート動作供給電圧 Min = 2.7 V動作供給電圧 Max = 3.6 Vブロック構成 = 対称長さ = 5.26mm高さ = 1.98mm幅 = 5.25mm寸法 = 5.26 x 5.25 x 1.98mm最大ランダムアクセス時間 = 3nsRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，フラッシュメモリ 32Mbit SPI， 8-Pin， SST26VF032B-104I/MF
MICROCHIP
￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 32Mbit●インターフェースタイプ SPI●パッケージタイプ WDFN●ピン数 8●構成 4 x 8ビット●実装タイプ表面実装●セルタイプスプリットゲート●動作供給電圧 Min 2.7 V●動作供給電圧 Max 3.6 V●ブロック構成対称●長さ 6mm●高さ 0.75mm●幅 5mm●寸法 6 5 0.75mm●シリーズ SST26bit●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは●シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで●6線式●4ビットI/Oインターフェイスを備えており●ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力●高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば●最高で104 MHzの性能を発揮し●最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは●従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは●SuperFlashR技術を使用することで●他のフラッシュメモリ代替品に比べると●非常に優れた消去時間を発揮します。通常●セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し●完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。. 特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャニブル単位の多重化I/O●SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル高速クロック周波数最大104 MHz バーストモード低消費電力アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)●スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間セクタブロック消去: 18 ms(代表値)●チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 64Mbit フラッシュメモリ SPI， 2.7→3.6V， 8-PinWDFN
MICROCHIP
￥1,498税込￥1,648
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit インターフェースタイプ：SPI パッケージタイプ：WDFN ピン数：8 構成：8 x 8ビット実装タイプ：表面実装セルタイプ：スプリットゲート動作供給電圧 Min：2.7 、動作供給電圧 Max：3.6 、長さ：6mm 高さ：0.8mm 幅：8mm 寸法：6 8 0.8mm 動作温度 Max： +85 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル高速クロック周波数最大104 MHz バーストモード低消費電力アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間セクタブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 64Mbit フラッシュメモリ SPI， 2.7→3.6V， 16-Pin SOIC
MICROCHIP
￥1,498税込￥1,648
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit 、インターフェースタイプ：SPI 、パッケージタイプ：SOIC 、ピン数：16 、構成：8 M x 8ビット、実装タイプ：表面実装、セルタイプ：スプリットゲート、動作供給電圧 Min：2.7 V 、動作供給電圧 Max：3.6 V 、ブロック構成：対称、長さ：10.3mm 、高さ：2.05mm 、幅：7.5mm 、寸法：10.3 x 7.5 x 2.05mm 、動作温度 Max： +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 16Mbit フラッシュメモリクワッドSPI， 2.7→3.6V， 8-PinWDFN
MICROCHIP
￥1,898税込￥2,088
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：16Mbit 、インターフェースタイプ：クワッドSPI 、パッケージタイプ：WDFN 、ピン数：8 、構成：2 M x 8ビット、実装タイプ：表面実装、セルタイプ：スプリットゲート、動作供給電圧 Min：2.7 V 、動作供給電圧 Max：3.6 V 、長さ：6mm 、高さ：0.8mm 、幅：5mm 、寸法：6 x 5 x 0.8mm 、動作温度 Max： +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 16Mbit フラッシュメモリクワッドSPI， 8-Pin SOIC
MICROCHIP
￥28,980税込￥31,878
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：16Mbit 、インターフェースタイプ：クワッドSPI 、パッケージタイプ：SOIC 、ピン数：8 、構成：2 M x 8ビット、実装タイプ：表面実装、セルタイプ：スプリットゲート、動作供給電圧 Min：2.7 V 、動作供給電圧 Max：3.6 V 、長さ：4.9mm 、高さ：1.5mm 、幅：3.9mm 、寸法：4.9 x 3.9 x 1.5mm 、動作温度 Max：+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応