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マイクロチップ, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 8-Pin 23LC1024-I/SN AEC-Q100 MICROCHIPマイクロチップ, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 8-Pin 23LC1024-I/SN AEC-Q100MICROCHIP
839税込923
1袋(2個)
翌々日出荷
仕様●メモリサイズ : 1Mbit●構成 : 128 k x 8ビット●ワード数 : 128k●1ワード当たりのビット数 : 8bit●最大ランダムアクセス時間 : 5ns●アドレスバス幅 : 24bit●クロック周波数 : 20MHz●ローパワー : あり●タイミングタイプ : シンクロナス●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOIC●ピン数 : 8●寸法 : 4.9 x 3.9 x 1.5mm●動作供給電圧 Max : 5.5 Vmm●動作温度 Min : -40 ℃mm●SRAM●MicrochipRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ, パラレルEEPROM 64kbit パラレル MICROCHIPマイクロチップ, パラレルEEPROM 64kbit パラレルMICROCHIP
2,198税込2,418
1袋(2個)
5日以内出荷
Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年
仕様メモリサイズ = 64kbitインターフェースタイプ = パラレルパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 28構成 = 8 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 4.5 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 18.1 x 7.6 x 2.35mm動作温度 Max = +85 ℃nsRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ, パラレルEEPROM 64kbit パラレル MICROCHIPマイクロチップ, パラレルEEPROM 64kbit パラレルMICROCHIP
2,098税込2,308
1袋(2個)
5日以内出荷
メモリサイズ = 64kbit。インターフェースタイプ = パラレル。パッケージタイプ = PLCC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 32。構成 = 8 K x 8ビット。動作供給電圧 Min = 4.5 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。プログラミング電圧 = 4.5 → 5.5V。1ワード当たりのビット数 = 8bit。寸法 = 11.5 x 14.04 x 3.17mm。ワード数 = 8Kns。Microchip AT28HC64BFは、高パフォーマンスの64 KビットパラレルEEPROMで、220 mWの消費電力で、55 nsのアクセス時間を提供しています。選択解除時のCMOSスタンバイ電流は100 μA未満です。外部コンポーネントなしで、読み取り / 書き込みサイクルで静的RAMのようにアクセスされます。64バイトのページレジスタを使用し、最大64バイトの書き込みを同時に実行できます。オプションのソフトウェアデータ保護メカニズムは、不注意による書き込みを防止し、さらに追加の64バイトのEEPROMにより、デバイスの識別や追跡を可能にします。その他の特長: 8 Kビット x 8 (64 Kビット) 5 V ±10 %電源 パラレルインターフェイス アクセス時間: 70 ns セルフ時限の消去及び書き込みサイクル ページの書き込みとバイトの書き込み 書き込み検出終了のデータポーリング 2 ms最大オプション 低電力消費: 読み取り / 書き込み電流: 40 mA (最大) スタンバイ電流: TTL 2 mA (最大)、CMOS: 100 μA (最大) 書き込み保護 ハードウェア保護 ソフトウェアデータ保護 10万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持: > 10年
RoHS指令(10物質対応)対応
EPROM Microchip MICROCHIPEPROM MicrochipMICROCHIP
2,498税込2,748
1個
7日以内出荷
メモリサイズ = 8Mbit。構成 = 1 M x 8ビット。最大ランダムアクセス時間 = 90ns。再ブログラミング技術 = OTP。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = PDIP。ピン数 = 32。寸法 = 42.29 x 13.97 x 4.44mm。標準動作供給電圧 = 5 Vbit。EPROM (ワンタイムプログラマブル)、 Atmel
RoHS指令(10物質対応)対応
Microchip マイコン AT89C51, 64-Pin VQFP AT89C51CC03UA-RDTUM MICROCHIPMicrochip マイコン AT89C51, 64-Pin VQFP AT89C51CC03UA-RDTUMMICROCHIP
1,898税込2,088
1個
7日以内出荷
ファミリー名 = AT89C51。パッケージタイプ = VQFP。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 64。デバイスコア = 80C51。データバス幅 = 8bit。プログラムメモリサイズ = 64 kB。最大周波数 = 40MHz。RAMサイズ = 2.048 kB。USBチャンネル = 0。PWMユニット数 = 1 x 8 bit。SPIチャンネル数 = 1。標準動作供給電圧 = 5.5 (最大) V。ADC数 = 8 x 10ビットmm。Microchip 8ビットマイクロコントローラ: CANコントローラと64 KBフラッシュX2モードでは、最大外部クロックレート20 MHzで300 nsサイクル時間に達します。このデバイスには、フルCANコントローラの他に、ISP機能を備えた64 KBフラッシュメモリ、2 KBブートフラッシュメモリ、2 KB EEPROM、2048バイトERAMが組み込まれています。電磁放射の抑制に根本的な注意が払われています。80C51コアアーキテクチャ オンチップRAM: 256バイト オンチップERAM: 2048バイト 64 Kバイトのオンチップフラッシュメモリ データ保持: 10年 @ 85 ℃ 読み取り / 書き込みサイクル: 100 K ブートローダー用の2 Kバイトオンチップフラッシュ 2 KバイトのオンチップEEPROM 読み取り / 書き込みサイクル: 100 K 内蔵電源モニタ(POR: PFD)、内部電源を監視 14ソース4レベル割り込み 16ビットタイマ / カウンター x 3 全二重UART互換80C51 高速アーキテクチャ
RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ, EEPROM 64kbit シリアル-I2C MICROCHIPマイクロチップ, EEPROM 64kbit シリアル-I2CMICROCHIP
2,298税込2,528
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ 64kbit●インターフェースタイプ シリアル-I2C(TM)パッケージタイプ SOIC●実装タイプ 表面実装●ピン数 8●構成 8 x 8ビット●動作供給電圧 Min 2.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●プログラミング電圧 2.5 5.5V●1ワード当たりのビット数 8bit●寸法 4.9 3.9 1.5mm●動作温度 Max +85 ℃ns●Microchip Technology Inc.の24LC64は●64 Kb I2C(TM)互換シリアルEEPROMです。2線シリアルインターフェイス付き8K 8ビットメモリの単一ブロックとして構成されています。低電圧設計で●最小2.5 Vで動作し●スタンバイ電流はわずか1 μA●動作電流もわずか1 mAです。パーソナル通信やデータ取得など先進の低電力用途向けに開発されました。単電源●最小2.5 Vで動作 低電力CMOSテクノロジー 2線シリアルインターフェイス●I2C(TM)互換 8個までのデバイスをカスケード接続可能 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページ書き込み時間: ms (標準) セルフ時限の消去 書き込みサイクル 32バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護: 4000 100万回を超える消去 書き込みサイクル データ保持: 200年 工場プログラミング可RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ SRAM 512kbit, 64 K×8ビット, 8-Pin 5.5V MICROCHIPマイクロチップ SRAM 512kbit, 64 K×8ビット, 8-Pin 5.5VMICROCHIP
27,980税込30,778
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ:512kbit 、 構成:64 K x 8ビット 、 ワード数:64K 、 1ワード当たりのビット数:8bit 、 最大ランダムアクセス時間:5ns 、 アドレスバス幅:8bit 、 クロック周波数:20MHz 、 ローパワー:あり 、 タイミングタイプ:シンクロナス 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:SOIC 、 ピン数:8 、 寸法:4.9 x 3.9 x 1.5mm 、 高さ:1.5mm 、 動作温度 Min:-40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ SRAM 512kbit, 64 K×8ビット, 2.5 to 5.5V, 8-Pin 5.5V MICROCHIPマイクロチップ SRAM 512kbit, 64 K×8ビット, 2.5 to 5.5V, 8-Pin 5.5VMICROCHIP
1,698税込1,868
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ:512kbit●構成:64 k x 8ビット●ワード数:64K●1ワード当たりのビット数:8bit●最大ランダムアクセス時間:25ns●アドレスバス幅:16bit●クロック周波数:20MHz●タイミングタイプ:シンクロナス●実装タイプ:スルーホール●パッケージタイプ:TSSOP●ピン数:8●寸法:0.4 x 0.28 x 0.195インチ●高さ:4.95mm●動作供給電圧 Min:2.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ SRAM メモリ 1Mbit, 128 K×8ビット, 8-Pin 5.5V MICROCHIPマイクロチップ SRAM メモリ 1Mbit, 128 K×8ビット, 8-Pin 5.5VMICROCHIP
49,980税込54,978
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ:1Mbit 、 構成:128 K x 8ビット 、 1ワード当たりのビット数:8bit 、 最大ランダムアクセス時間:5ns 、 アドレスバス幅:24bit 、 クロック周波数:20MHz 、 ローパワー:あり 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:TSSOP 、 ピン数:8 、 寸法:3.1 x 4.5 x 1.05mm 、 高さ:1.05mm 、 動作温度 Min:-40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ SRAM メモリ 256kbit, 32 K×8ビット, 8-Pin 3.6V MICROCHIPマイクロチップ SRAM メモリ 256kbit, 32 K×8ビット, 8-Pin 3.6VMICROCHIP
23,980税込26,378
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ:256kbit 、 構成:32 K x 8ビット 、 ワード数:32K 、 1ワード当たりのビット数:8bit 、 最大ランダムアクセス時間:25ns 、 アドレスバス幅:16bit 、 クロック周波数:20MHz 、 ローパワー:あり 、 タイミングタイプ:シンクロナス 、 実装タイプ:表面実装 、 パッケージタイプ:TSSOP 、 ピン数:8 、 寸法:3 x 4.4 x 1mm 、 高さ:1mm 、 動作温度 Min:-40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ, SRAM 512kbit, 64 k x 8ビット, 8-Pin 23LCV512-I/SN MICROCHIPマイクロチップ, SRAM 512kbit, 64 k x 8ビット, 8-Pin 23LCV512-I/SNMICROCHIP
32,980税込36,278
1セット(100個)
7日以内出荷
SRAM、Microchip
仕様メモリサイズ = 512kbit構成 = 64 k x 8ビットワード数 = 64k1ワード当たりのビット数 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 5nsアドレスバス幅 = 16bitクロック周波数 = 20MHzローパワー = ありタイミングタイプ = シンクロナス実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.25mm動作供給電圧 Max = 5.5 Vmm幅 = 3.9mmRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 8-Pin 23LCV1024-I/SN MICROCHIPマイクロチップ, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 8-Pin 23LCV1024-I/SNMICROCHIP
2,398税込2,638
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ : 1Mbit●構成 : 128 k x 8ビット●ワード数 : 128k●1ワード当たりのビット数 : 8bit●最大ランダムアクセス時間 : 5ns●アドレスバス幅 : 24bit●クロック周波数 : 20MHz●ローパワー : あり●タイミングタイプ : シンクロナス●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOIC●ピン数 : 8●寸法 : 4.9 x 3.9 x 1.25mm●動作供給電圧 Max : 5.5 Vmm●動作温度 Max : +85 ℃mm●SRAM●MicrochipRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 8-Pin 23LC1024-I/P AEC-Q100 MICROCHIPマイクロチップ, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 8-Pin 23LC1024-I/P AEC-Q100MICROCHIP
899税込989
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●メモリサイズ : 1Mbit●構成 : 128 k x 8ビット●ワード数 : 128k●1ワード当たりのビット数 : 8bit●最大ランダムアクセス時間 : 5ns●アドレスバス幅 : 24bit●クロック周波数 : 20MHz●ローパワー : あり●タイミングタイプ : シンクロナス●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : PDIP●ピン数 : 8●寸法 : 0.4 x 0.28 x 0.195インチ●動作供給電圧 Max : 5.5 Vmm●動作温度 Min : -40 ℃mm●SRAM●MicrochipRoHS指令(10物質対応)対応
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