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IC MCU 8BIT 24KB FLASH 28SOICMICROCHIP￥1,398税込￥1,538
1個
5日以内出荷
電源電圧(V)4.2～5.5発振器内蔵インターフェースI2C、SPI、UART/USART、USB主記憶(RAM)容量(標準/最大)2K×8プログラムメモリフラッシュRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 10×10bプログラムメモリ容量24KB(12K×16)動作温度範囲(℃)‐40～85(TA)パッケージ28-SOIC(0.295インチ、7.50mm幅)I/O点数24実装タイプ面実装クロック周波数48MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、HLVD、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
IC MCU 8BIT 7KB FLASH 44QFNMICROCHIP￥599税込￥659
1個
5日以内出荷
電源電圧(V)2～5.5発振器内蔵インターフェースI2C、SPI、UART/USART主記憶(RAM)容量(標準/最大)256×8プログラムメモリフラッシュRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 8×10bプログラムメモリ容量7KB(4K×14)動作温度範囲(℃)‐40～85(TA)パッケージ44-VQFN露出パッドI/O点数35実装タイプ面実装クロック周波数20MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、LCD、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFNMICROCHIP￥1,698税込￥1,868
1個
5日以内出荷
電源電圧(V)4.2～5.5発振器内蔵インターフェースI2C、SPI、UART/USART、USB主記憶(RAM)容量(標準/最大)2K×8プログラムメモリフラッシュRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 13×10bプログラムメモリ容量32KB(16K×16)動作温度範囲(℃)‐40～85(TA)パッケージ44-VQFN露出パッドI/O点数35実装タイプ面実装クロック周波数48MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、HLVD、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
IC MCU 8BIT 14KB FLASH 40DIPMICROCHIP￥1,298税込￥1,428
1個
5日以内出荷
電源電圧(V)4～5.5発振器外付けインターフェースI2C、SPI、UART/USART主記憶(RAM)容量(標準/最大)368×8プログラムメモリフラッシュ内部ADコンバータA/D 8×10bプログラムメモリ容量14KB(8K×14)動作温度範囲(℃)0～70(TA)パッケージ40-DIP(0.600インチ、15.24mm)I/O点数33実装タイプスルーホールクロック周波数4MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
IC MCU 8BIT 14KB FLASH 44MQFPMICROCHIP￥1,698税込￥1,868
1個
5日以内出荷
電源電圧(V)2～5.5発振器外付けインターフェースI2C、SPI、UART/USART主記憶(RAM)容量(標準/最大)368×8プログラムメモリフラッシュRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 8×10bプログラムメモリ容量14KB(8K×14)動作温度範囲(℃)0～70(TA)パッケージ44-QFPI/O点数33実装タイプ面実装クロック周波数4MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
IC MCU 8BIT 7KB FLASH 40DIPMICROCHIP￥1,098税込￥1,208
1個
5日以内出荷
電源電圧(V)4～5.5発振器内蔵インターフェースI2C、SPI、UART/USART主記憶(RAM)容量(標準/最大)368×8プログラムメモリフラッシュ内部ADコンバータA/D 14×10bプログラムメモリ容量7KB(4K×14)動作温度範囲(℃)‐40～85(TA)パッケージ40-DIP(0.600インチ、15.24mm)I/O点数36実装タイプスルーホールクロック周波数20MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、POR、PWM、WDT
IC MCU 8BIT 24KB FLASH 44TQFPMICROCHIP￥1,598税込￥1,758
1個
5日以内出荷
電源電圧(V)4.2～5.5発振器内蔵インターフェースI2C、SPI、UART/USART、USB主記憶(RAM)容量(標準/最大)2K×8プログラムメモリフラッシュRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 13×10bプログラムメモリ容量24KB(12K×16)動作温度範囲(℃)‐40～85(TA)パッケージ44-TQFPI/O点数35実装タイプ面実装クロック周波数48MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、HLVD、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
マイクロチップ， 16Mbit フラッシュ メモリ クワッドSPI， 8-Pin SOICMICROCHIP￥24,980税込￥27,478
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：16Mbit 、 インターフェースタイプ：クワッドSPI 、 パッケージタイプ：SOIC 、 ピン数：8 、 構成：2 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 長さ：4.9mm 、 高さ：1.5mm 、 幅：3.9mm 、 寸法：4.9 x 3.9 x 1.5mm 、 動作温度 Max：+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 64Mbit フラッシュメモリ SPI， 2.7→3.6V， 8-PinWDFNMICROCHIP￥1,298税込￥1,428
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit インターフェースタイプ：SPI パッケージタイプ：WDFN ピン数：8 構成：8 x 8ビット 実装タイプ：表面実装 セルタイプ：スプリットゲート 動作供給電圧 Min：2.7 、 動作供給電圧 Max：3.6 、 長さ：6mm 高さ：0.8mm 幅：8mm 寸法：6 8 0.8mm 動作温度 Max： +85 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 64Mbit フラッシュ メモリ SPI， 8-Pin SOIJMICROCHIP￥45,980税込￥50,578
1セット(90個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit●インターフェースタイプ：SPI●パッケージタイプ：SOIJ●ピン数：8●構成：8 x 8ビット●実装タイプ：表面実装●セルタイプ：スプリットゲート●動作供給電圧 Min：2.7 V●動作供給電圧 Max：3.6 V●ブロック構成：対称●長さ：5.26mm●高さ：1.98mm●幅：5.25mm●寸法：5.26 5.25 1.98mm●ワード数：8M●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 64Mbit フラッシュ メモリ SPI， 2.7→3.6V， 16-Pin SOICMICROCHIP￥1,198税込￥1,318
1袋(2個)
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仕様メモリサイズ：64Mbit 、 インターフェースタイプ：SPI 、 パッケージタイプ：SOIC 、 ピン数：16 、 構成：8 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 ブロック構成：対称 、 長さ：10.3mm 、 高さ：2.05mm 、 幅：7.5mm 、 寸法：10.3 x 7.5 x 2.05mm 、 動作温度 Max： +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 16Mbit フラッシュ メモリ クワッドSPI， 2.7→3.6V， 8-PinWDFNMICROCHIP￥1,598税込￥1,758
1袋(5個)
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仕様メモリサイズ：16Mbit 、 インターフェースタイプ：クワッドSPI 、 パッケージタイプ：WDFN 、 ピン数：8 、 構成：2 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 長さ：6mm 、 高さ：0.8mm 、 幅：5mm 、 寸法：6 x 5 x 0.8mm 、 動作温度 Max： +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
