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24AA64/24FC64/24LC64 I2C シリアルEEPROM. Microchipの24AA64/24FC64/24LC64ファミリのデバイスは、64 KビットI2C シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。. 特長. 単独の電源で1.7 V (24AA64/24FC64デバイス)、2.5 V (24LC64デバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: 3 mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C 互換 3本のアドレスピンのパッケージは最大8台のデバイスにカスケード可能 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 24FC64モデル用の1 MHzクロック ページの書き込み時間: 5 ms (最大) セルフ時限の消去 / 書き込みサイクル 32バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護 4，000 V 100万回を超える消去 / 書き込みサイクル データ保持200年間

TC4467 / 4468 / 4469 MOSFETドライバ. Microchip TC4467、TC4468、TC4469は、4出力ローサイドMOSFETドライバのシリーズです。 これらのMOSFETドライバでは、各出力用の2つの入力をロジックゲートとして設定しています。. 特長. 動作範囲: 4.5 → 18 V 対称立ち上がり及び立下り: 25 ns 短い等価遅延時間: 75 ns ラッチ防止 - 500 mAの誘導性キックバックに耐える 出力あたり2つの入力ロジックゲート - TC4467用のNAND、TC4468用のAND、TC4469用のAND/INV すべてのピンに2 kV ESD保護

TC426 / 427 / 428 MOSFETドライバ. Microchip TC426、TC427、TC428デバイスは、デュアルローサイドMOSFETドライバです。. 特長. 高速スイッチング(CL = 1000 pF): 30 ns 高ピークの出力電流: 1.5 A 高出力電圧スイング: VDD -25 mV、GND +25 mV 低入力電流(ロジック「0」又は「1」): 1 μA TTL / CMOS入力に対応 構成: TC426 - 反転、TC427 - 非反転、TC428 - 反転 / 非反転 動作供給電圧: 4.5 → 18 V 電流消費量: 低入力0.4 mA、高入力8 mA シングル電源動作 低出力インピーダンス: 6 Ω ラッチアップ抵抗: >；500 mAの逆電流に耐える ESD保護: 2 kV

24AA02/24LC02B I2C-シリアルEEPROM. Microchipの24AA02/24LC02Bファミリのデバイスは、2 KビットI2C シリアルEEPROMです。各種のパッケージ、温度、電源のバージョンが揃っています。. 特長. 単独の電源で1.7 (24AA02デバイス)、2.5 (24LC02Bデバイス)で動作 低消費電力CMOSテクノロジー: 読み取り電流: mA (最大)、スタンバイ電流1 μA (最大) 2線シリアルインターフェイス、I2C互換 シュミットトリガ入力でノイズを抑制 出力スロープ制御でグランドバウンスを除去 100 kHz及び400 kHzのクロック互換性 ページの書き込み時間: ms (標準) セルフ時限の消去 書き込みサイクル 8バイトのページ書き込みバッファ ハードウェア書き込み保護 ESD保護4，000 100万回を超える消去 書き込みサイクル データ保持:200年間

Microchip 25AA256-I/P は、256 K ビットシリアル電気消去可能 PROM です。このメモリには、シンプルなシリアルペリフェラルインターフェース(SPI)互換のシリアルバスを使用してアクセスします。必要なバス信号は、クロック入力(SCK)に加えて、データ入力(SI)とデータ出力(SO)の個別のラインです。デバイスへのアクセスは、チップ選択(CS)入力によって制御されます。デバイスとの通信は、ホールド(HOLD)ピンで一時停止させることができます。最大クロック: 10 MHz 低電力CMOSテクノロジー: 書き込み電流: 5 mA (最大) @ 5.5 V - 読み取り電流: 5 mA (最大) @ 5.5 V、10 MHz - スタンバイ電流: 1 μA @ 5.5V セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: 5 ms (最大) ブロック書き込み保護: 保護なし、1/4、1/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン シーケンシャル読み取り 高い信頼性: 耐久性: 100万回の消去 / 書き込みサイクル - データ保持: 200年 - ESD保護: 4000 V 対応温度範囲： 車載向けAEC-Q100認定

Microchip Technology MOSFETMicrochip Technology MOSFET ドライバは、頑丈で、効率的で使いやすいドライバです。非反転ドライバです。MOSFET 9 (ピーク)の出力が可能で、改善された動作マージンで最大の MOSFET を駆動できます。 外付けの速度アップコンデンサや抵抗器ネットワークなしで、 2.4 から VS へのロジック入力に対応します。独自の回路により、部品を損傷することなく、入力を V まで負にスイングできます。特長と利点完全に分離されたプロセスは、すべてのラッチアップに対する本質的な耐性を備えています 大容量負荷駆動は 47，000pF です 高ピーク出力電流は A Peak です 入力は最大 V の負のスイングに耐える 鉛( Pb )フリー 2.4 から VS へのあらゆる電圧のロジック高入力 低等価入力容量 低出力インピーダンス ロジック 入力で 450 A の低供給電流 最小パルス幅は 50ns です ジャンクション動作温度範囲： -40 C 150 C 供給電圧範囲： 4.5 18 V用途クラス スイッチングアンプ MOSFET または IGBT パラレルチップモジュールを駆動 ラインドライバ ローカル電源オン オフスイッチ モータ制御 パルス発生器 パルストランスドライバ スイッチモード電源認定 ANSI/ESD S20.20 2014 BS EN 61340-5-1 2007

Microchip AT27C020 2 Mb の低消費電力、高性能ワンタイムプログラマブル EPROM は、 256 K ビット x 8 として構成されています。4.5 → 5.5 V の電圧範囲で動作します。通常の読み取りモードでの標準消費電力はわずか 8 mA で、スタンバイモードの供給電流は標準で 10 μ A 未満です。どのバイトにも 55 ns 未満でアクセスできるため、高性能マイクロプロセッサシステムでの速度低減 WAIT ステートが不要になります。低電力 CMOS 動作 アクセス時間は 90 ns です ESD 保護： 2 、 000 V ラッチアップ耐性： 200 mA Rapid Programming アルゴリズム： 100 μ s/ バイト(標準) CMOS及びTTL互換入出力 製品識別コードを内蔵 使用温度範囲： -40 → 85 ° C 32 リード、プラスチック J リード付きチップキャリア( PLCC )パッケージ

Microchip シリアル I/O 周辺機器