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「mhz2」の検索結果
マイクロチップ I/Oエキスパンダ， I2C 1.7MHz， 20-Pin QFN
MICROCHIP￥19,980税込￥21,9781セット(91個)7日以内出荷仕様I/Oチャンネル数：8●インターフェース：I2C●ピン数：20●パッケージタイプ：QFN●クロック周波数：1.7MHz●実装タイプ：表面実装●最大供給電圧：5.5 V●最小供給電圧：1.8 V●パラレルインターフェイスペリフェラル、MicrochipRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ I/Oエキスパンダ， I2C 3.4MHz， 28-Pin SPDIP
MICROCHIP￥4,698税込￥5,1681セット(15個)7日以内出荷仕様I/Oチャンネル数：16●インターフェース：I2C●ピン数：28●パッケージタイプ：SPDIP●クロック周波数：3.4MHz●実装タイプ：スルーホール●パラレルインターフェイスペリフェラル、MicrochipRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ I/Oエキスパンダ， I2C 3.4MHz， 24-Pin SSOP
MICROCHIP￥19,980税込￥21,9781セット(59個)7日以内出荷仕様I/Oチャンネル数：16●インターフェース：I2C●ピン数：24●パッケージタイプ：SSOP●クロック周波数：3.4MHz●実装タイプ：表面実装●最大供給電圧：5.5 V●最小供給電圧：1.8 V●パラレルインターフェイスペリフェラル、MicrochipRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， デジタルポテンショメータ 5kΩ， 257ポジション， SPI， 8ピン SOIC
MICROCHIP￥379～税込￥417～1袋(2個)ほか翌々日出荷から7日以内出荷RoHS指令(10物質対応)対応
DSP 16-bit 30MIPS 66KB Prog 5V TQFP-64
MICROCHIP￥299,800税込￥329,7801セット(160個)7日以内出荷仕様パッケージタイプ = TQFP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 64データバス幅 = 16bitプログラムメモリサイズ = 66 kB最大周波数 = 25MHzRAMサイズ = 4.096 kBUSBチャンネル = 0PWMユニット数 = 8ADCチャンネル数 = 16SPIチャンネル数 = 2標準動作供給電圧 = 2.5 → 5.5 V動作温度 Min = -40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 64Mbit フラッシュメモリ SPI， 2.7→3.6V， 8-PinWDFN
MICROCHIP￥1,498税込￥1,6481袋(2個)7日以内出荷仕様メモリサイズ：64Mbit インターフェースタイプ：SPI パッケージタイプ：WDFN ピン数：8 構成：8 x 8ビット 実装タイプ：表面実装 セルタイプ：スプリットゲート 動作供給電圧 Min：2.7 、 動作供給電圧 Max：3.6 、 長さ：6mm 高さ：0.8mm 幅：8mm 寸法：6 8 0.8mm 動作温度 Max： +85 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 64Mbit フラッシュ メモリ SPI， 8-Pin SOIJ
MICROCHIP￥50,980税込￥56,0781セット(90個)7日以内出荷仕様メモリサイズ：64Mbit●インターフェースタイプ：SPI●パッケージタイプ：SOIJ●ピン数：8●構成：8 x 8ビット●実装タイプ：表面実装●セルタイプ：スプリットゲート●動作供給電圧 Min：2.7 V●動作供給電圧 Max：3.6 V●ブロック構成：対称●長さ：5.26mm●高さ：1.98mm●幅：5.25mm●寸法：5.26 5.25 1.98mm●ワード数：8M●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 最大104 MHz バーストモード 低消費電力 アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 セクタ ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 64Mbit フラッシュ メモリ SPI， 2.7→3.6V， 16-Pin SOIC
MICROCHIP￥1,498税込￥1,6481袋(2個)7日以内出荷仕様メモリサイズ：64Mbit 、 インターフェースタイプ：SPI 、 パッケージタイプ：SOIC 、 ピン数：16 、 構成：8 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 ブロック構成：対称 、 長さ：10.3mm 、 高さ：2.05mm 、 幅：7.5mm 、 寸法：10.3 x 7.5 x 2.05mm 、 動作温度 Max： +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 16Mbit フラッシュ メモリ クワッドSPI， 8-Pin SOIC
MICROCHIP￥28,980税込￥31,8781セット(100個)7日以内出荷仕様メモリサイズ：16Mbit 、 インターフェースタイプ：クワッドSPI 、 パッケージタイプ：SOIC 、 ピン数：8 、 構成：2 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 長さ：4.9mm 、 高さ：1.5mm 、 幅：3.9mm 、 寸法：4.9 x 3.9 x 1.5mm 、 動作温度 Max：+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 16Mbit フラッシュ メモリ クワッドSPI， 2.7→3.6V， 8-PinWDFN
MICROCHIP￥1,898税込￥2,0881袋(5個)7日以内出荷仕様メモリサイズ：16Mbit 、 インターフェースタイプ：クワッドSPI 、 パッケージタイプ：WDFN 、 ピン数：8 、 構成：2 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 長さ：6mm 、 高さ：0.8mm 、 幅：5mm 、 寸法：6 x 5 x 0.8mm 、 動作温度 Max： +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
Microchip 315 MHz 434 MHz ASK OOK RFレシーバ
MICROCHIP￥499税込￥5491袋(2個)9日以内出荷仕様モジュレーション技術：ASK， OOK 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：QSOP 、 ピン数：16 、 寸法：4.9 x 3.91 x 1.47mm 、 長さ：4.9mm 、 幅：3.91mm 、 高さ：1.47mm 、 最大動作バンド1周波数：13kHz 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 動作温度 Max：+105 ℃ 、 最小動作バンド1周波数：1625Hz 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 MICRF2xx 1 GHz未満帯RFレシーバ. MICRF219A 及び MICRF220 は、300 → 450 MHz ISMバンドスーパーヘテロダイン、イメージリジェクトRFレシーバです。. RF周波数範囲: 300 → 450 MHz ISMバンド レシーバ感度: -110 dBm @ 1 kbps、0.1 % BER 変調: ASK、OOK OTAデータ転送速度: 最大20 kbps アナログRSSI出力範囲: 60 dB ビットチェック( MICRF219A )付きの自動ポーリング 有効なビットを検出するまでのデータ出力スケルチ機能 シャットダウンモード レジスタプログラミング( MICRF219A )用のシリアルインターフェイス 電源: +3.0 → +3.6 V dc 動作温度範囲: -40 → +105 ℃ 3 kV HBM ESD等級 用途: リモコン、自動車のキーレスエントリ RS製品コード < 769-1811') 769-1811/ MICRF219AAYQS < 769-1802') 769-1802/ MICRF220AYQSRoHS指令(10物質対応)対応
