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Microchip マイコン
MICROCHIP(3件のレビュー)
￥419～税込￥461～
1個ほか
当日出荷から7日以内出荷
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Microchip Technology マイコン
MICROCHIP
￥949～税込￥1,044～
1個ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
バリエーション一覧へ(432)
IC MCU 8BIT 14KB FLASH 44PLCC
MICROCHIP
￥1,698税込￥1,868
1個
3日以内出荷
8ビット、20MHz、14kBのPICシリーズマイクロコントローラー
チャンネル数10ビットA/Dチャンネル数:8、PWMチャンネル数:2電源電圧(V)4～5.5インターフェースI²C、SPI、UART主記憶(RAM)容量(標準/最大)368B×8インターバルタイマー3動作温度範囲(℃)‐40～+85パッケージ44-PLCCI/O点数33クロック周波数最大20MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPICROMFlash:14kB、EEPROM:256B×8
バリエーション一覧へ(2)
IC MCU 8BIT 1.75KB OTP 8DIP
MICROCHIP
￥539税込￥593
1個
3日以内出荷
電源電圧(V)3～5.5発振器内蔵主記憶(RAM)容量(標準/最大)128×8プログラムメモリOTP内部ADコンバータA/D 4×8bプログラムメモリ容量1.75KB(1K×14)動作温度範囲(℃)0～70(TA)パッケージ8-DIP(0.300インチ、7.62mm)I/O点数5実装タイプスルーホールクロック周波数4MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/FPOR、WDT
IC MCU 8BIT 7KB FLASH 40DIP
MICROCHIP
￥1,098税込￥1,208
1個
3日以内出荷
電源電圧(V)4～5.5発振器内蔵インターフェースI2C、SPI、UART/USART主記憶(RAM)容量(標準/最大)368×8プログラムメモリフラッシュ内部ADコンバータA/D 14×10bプログラムメモリ容量7KB(4K×14)動作温度範囲(℃)‐40～85(TA)パッケージ40-DIP(0.600インチ、15.24mm)I/O点数36実装タイプスルーホールクロック周波数20MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、POR、PWM、WDT
IC MCU 8BIT 14KB FLASH 40DIP
MICROCHIP
￥1,298税込￥1,428
1個
3日以内出荷
電源電圧(V)4～5.5発振器外付けインターフェースI2C、SPI、UART/USART主記憶(RAM)容量(標準/最大)368×8プログラムメモリフラッシュ内部ADコンバータA/D 8×10bプログラムメモリ容量14KB(8K×14)動作温度範囲(℃)0～70(TA)パッケージ40-DIP(0.600インチ、15.24mm)I/O点数33実装タイプスルーホールクロック周波数4MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
IC MCU 8BIT 14KB FLASH 44MQFP
MICROCHIP
￥1,698税込￥1,868
1個
3日以内出荷
電源電圧(V)2～5.5発振器外付けインターフェースI2C、SPI、UART/USART主記憶(RAM)容量(標準/最大)368×8プログラムメモリフラッシュRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 8×10bプログラムメモリ容量14KB(8K×14)動作温度範囲(℃)0～70(TA)パッケージ44-QFPI/O点数33実装タイプ面実装クロック周波数4MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
IC MCU 8BIT 3.5KB OTP 18DIP
MICROCHIP
￥679税込￥747
1個
3日以内出荷
電源電圧(V)4～5.5発振器外付け主記憶(RAM)容量(標準/最大)128×8プログラムメモリOTPRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 4×8bプログラムメモリ容量3.5KB(2K×14)動作温度範囲(℃)0～70(TA)パッケージ18-DIP(0.300インチ、7.62mm)I/O点数13実装タイプスルーホールクロック周波数20MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、POR、WDT
バリエーション一覧へ(2)
IC MCU 8BIT 24KB FLASH 44TQFP
MICROCHIP
￥1,598税込￥1,758
1個
3日以内出荷
電源電圧(V)4.2～5.5発振器内蔵インターフェースI2C、SPI、UART/USART、USB主記憶(RAM)容量(標準/最大)2K×8プログラムメモリフラッシュRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 13×10bプログラムメモリ容量24KB(12K×16)動作温度範囲(℃)‐40～85(TA)パッケージ44-TQFPI/O点数35実装タイプ面実装クロック周波数48MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、HLVD、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
IC MCU 8BIT 7KB FLASH 28SOIC
MICROCHIP
￥969税込￥1,066
1個
3日以内出荷
電源電圧(V)2～5.5発振器外付けインターフェースI2C、SPI、UART/USART主記憶(RAM)容量(標準/最大)192×8プログラムメモリフラッシュRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 5×8bプログラムメモリ容量7KB(4K×14)動作温度範囲(℃)‐40～85(TA)パッケージ28-SOIC(0.295インチ、7.50mm幅)I/O点数22実装タイプ面実装クロック周波数20MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、POR、PWM、WDT
IC MCU 8BIT 24KB FLASH 28SOIC
MICROCHIP
￥1,398税込￥1,538
1個
3日以内出荷
電源電圧(V)4.2～5.5発振器内蔵インターフェースI2C、SPI、UART/USART、USB主記憶(RAM)容量(標準/最大)2K×8プログラムメモリフラッシュRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 10×10bプログラムメモリ容量24KB(12K×16)動作温度範囲(℃)‐40～85(TA)パッケージ28-SOIC(0.295インチ、7.50mm幅)I/O点数24実装タイプ面実装クロック周波数48MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、HLVD、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFN
MICROCHIP
￥1,698税込￥1,868
1個
3日以内出荷
電源電圧(V)4.2～5.5発振器内蔵インターフェースI2C、SPI、UART/USART、USB主記憶(RAM)容量(標準/最大)2K×8プログラムメモリフラッシュRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 13×10bプログラムメモリ容量32KB(16K×16)動作温度範囲(℃)‐40～85(TA)パッケージ44-VQFN露出パッドI/O点数35実装タイプ面実装クロック周波数48MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、HLVD、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
IC MCU 8BIT 7KB FLASH 44QFN
MICROCHIP
￥599税込￥659
1個
3日以内出荷
電源電圧(V)2～5.5発振器内蔵インターフェースI2C、SPI、UART/USART主記憶(RAM)容量(標準/最大)256×8プログラムメモリフラッシュRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 8×10bプログラムメモリ容量7KB(4K×14)動作温度範囲(℃)‐40～85(TA)パッケージ44-VQFN露出パッドI/O点数35実装タイプ面実装クロック周波数20MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、LCD、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
マイクロチップ，シリアルEEPROM 4kbit I2C
MICROCHIP
￥1,498税込￥1,648
1袋(20個)
7日以内出荷
バリエーション一覧へ(2)
Microchip 暗号化認証IC
MICROCHIP
￥1,898～税込￥2,088～
1袋(10個)ほか
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(4)
マイクロチップ， 8Mbit フラッシュメモリパラレル， 3→3.6V， 48-Pin TFBGA
MICROCHIP
￥1,998税込￥2,198
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：8Mbit●インターフェースタイプ：パラレル●パッケージタイプ：TFBGA●ピン数：48●構成：512 K x 16ビット●実装タイプ：表面実装●セルタイプ：スプリットゲート●動作供給電圧 Min：3 V●動作供給電圧 Max：3.6 V●ブロック構成：対称●長さ：8mm●高さ：0.75mm●幅：6mm●寸法：8 x 6 x 0.75mm●ワード数：512K●SST39LF800AパラレルSuperFlashRメモリRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 16Mbit フラッシュメモリクワッドSPI， 2.7→3.6V， 8-PinWDFN
MICROCHIP
￥1,898税込￥2,088
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：16Mbit 、インターフェースタイプ：クワッドSPI 、パッケージタイプ：WDFN 、ピン数：8 、構成：2 M x 8ビット、実装タイプ：表面実装、セルタイプ：スプリットゲート、動作供給電圧 Min：2.7 V 、動作供給電圧 Max：3.6 V 、長さ：6mm 、高さ：0.8mm 、幅：5mm 、寸法：6 x 5 x 0.8mm 、動作温度 Max： +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， EEPROM 4.5kbit I2C
MICROCHIP
￥1,998～税込￥2,198～
1袋(25個)ほか
7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
バリエーション一覧へ(2)
マイクロチップ， 64Mbit フラッシュメモリ SPI， 2.7→3.6V， 16-Pin SOIC
MICROCHIP
￥1,498税込￥1,648
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit 、インターフェースタイプ：SPI 、パッケージタイプ：SOIC 、ピン数：16 、構成：8 M x 8ビット、実装タイプ：表面実装、セルタイプ：スプリットゲート、動作供給電圧 Min：2.7 V 、動作供給電圧 Max：3.6 V 、ブロック構成：対称、長さ：10.3mm 、高さ：2.05mm 、幅：7.5mm 、寸法：10.3 x 7.5 x 2.05mm 、動作温度 Max： +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 64Mbit フラッシュメモリ SPI， 2.7→3.6V， 8-PinWDFN
MICROCHIP
￥1,498税込￥1,648
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit インターフェースタイプ：SPI パッケージタイプ：WDFN ピン数：8 構成：8 x 8ビット実装タイプ：表面実装セルタイプ：スプリットゲート動作供給電圧 Min：2.7 、動作供給電圧 Max：3.6 、長さ：6mm 高さ：0.8mm 幅：8mm 寸法：6 8 0.8mm 動作温度 Max： +85 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル高速クロック周波数最大104 MHz バーストモード低消費電力アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間セクタブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 64Mbit フラッシュメモリ SPI， 8-Pin SOIJ
MICROCHIP
￥50,980税込￥56,078
1セット(90個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：64Mbit●インターフェースタイプ：SPI●パッケージタイプ：SOIJ●ピン数：8●構成：8 x 8ビット●実装タイプ：表面実装●セルタイプ：スプリットゲート●動作供給電圧 Min：2.7 V●動作供給電圧 Max：3.6 V●ブロック構成：対称●長さ：5.26mm●高さ：1.98mm●幅：5.25mm●寸法：5.26 5.25 1.98mm●ワード数：8M●SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 x2 x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル高速クロック周波数最大104 MHz バーストモード低消費電力アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間セクタブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 16Mbit フラッシュメモリクワッドSPI， 8-Pin SOIC
MICROCHIP
￥28,980税込￥31,878
1セット(100個)
7日以内出荷
仕様メモリサイズ：16Mbit 、インターフェースタイプ：クワッドSPI 、パッケージタイプ：SOIC 、ピン数：8 、構成：2 M x 8ビット、実装タイプ：表面実装、セルタイプ：スプリットゲート、動作供給電圧 Min：2.7 V 、動作供給電圧 Max：3.6 V 、長さ：4.9mm 、高さ：1.5mm 、幅：3.9mm 、寸法：4.9 x 3.9 x 1.5mm 、動作温度 Max：+85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ，シリアルEEPROM 8kbit I2C
MICROCHIP
￥1,398税込￥1,538
1袋(20個)
7日以内出荷
バリエーション一覧へ(2)
マイクロチップ，シリアルEEPROM 8kbit
MICROCHIP
￥199,800税込￥219,780
1リール(3000個)
7日以内出荷
バリエーション一覧へ(2)