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RoHS10物質対応(56)
「micro b」の検索結果
IC MCU 8BIT 896B OTP 18DIP
MICROCHIP￥659税込￥7251個3日以内出荷電源電圧(V)3～5.5発振器外付け主記憶(RAM)容量(標準/最大)80×8プログラムメモリOTPRoHS指令(10物質対応)対応プログラムメモリ容量896B(512×14)動作温度範囲(℃)0～70(TA)パッケージ18-DIP(0.300インチ、7.62mm)I/O点数13実装タイプスルーホールクロック周波数4MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/FPOR、WDT
Microchip Technology SPLDシンプルプログラマブルロジックデバイス
MICROCHIP￥819～税込￥901～1袋(5個)翌々日出荷から7日以内出荷RoHS指令(10物質対応)対応
IC MCU 8BIT 14KB FLASH 44PLCC
MICROCHIP￥1,698税込￥1,8681個3日以内出荷8ビット、20MHz、14kBのPICシリーズ マイクロコントローラーチャンネル数10ビットA/Dチャンネル数:8、PWMチャンネル数:2電源電圧(V)4～5.5インターフェースI2C、SPI、UART主記憶(RAM)容量(標準/最大)368B×8インターバルタイマー3動作温度範囲(℃)‐40～+85パッケージ44-PLCCI/O点数33クロック周波数最大20MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPICROMFlash:14kB、EEPROM:256B×8
IC MCU 8BIT 1.75KB OTP 8DIP
MICROCHIP￥539税込￥5931個3日以内出荷電源電圧(V)3～5.5発振器内蔵主記憶(RAM)容量(標準/最大)128×8プログラムメモリOTP内部ADコンバータA/D 4×8bプログラムメモリ容量1.75KB(1K×14)動作温度範囲(℃)0～70(TA)パッケージ8-DIP(0.300インチ、7.62mm)I/O点数5実装タイプスルーホールクロック周波数4MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/FPOR、WDT
IC MCU 8BIT 7KB FLASH 40DIP
MICROCHIP￥1,098税込￥1,2081個3日以内出荷電源電圧(V)4～5.5発振器内蔵インターフェースI2C、SPI、UART/USART主記憶(RAM)容量(標準/最大)368×8プログラムメモリフラッシュ内部ADコンバータA/D 14×10bプログラムメモリ容量7KB(4K×14)動作温度範囲(℃)‐40～85(TA)パッケージ40-DIP(0.600インチ、15.24mm)I/O点数36実装タイプスルーホールクロック周波数20MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、POR、PWM、WDT
IC MCU 8BIT 14KB FLASH 40DIP
MICROCHIP￥1,298税込￥1,4281個3日以内出荷電源電圧(V)4～5.5発振器外付けインターフェースI2C、SPI、UART/USART主記憶(RAM)容量(標準/最大)368×8プログラムメモリフラッシュ内部ADコンバータA/D 8×10bプログラムメモリ容量14KB(8K×14)動作温度範囲(℃)0～70(TA)パッケージ40-DIP(0.600インチ、15.24mm)I/O点数33実装タイプスルーホールクロック周波数4MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
IC MCU 8BIT 14KB FLASH 44MQFP
MICROCHIP￥1,698税込￥1,8681個3日以内出荷電源電圧(V)2～5.5発振器外付けインターフェースI2C、SPI、UART/USART主記憶(RAM)容量(標準/最大)368×8プログラムメモリフラッシュRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 8×10bプログラムメモリ容量14KB(8K×14)動作温度範囲(℃)0～70(TA)パッケージ44-QFPI/O点数33実装タイプ面実装クロック周波数4MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
IC MCU 8BIT 24KB FLASH 44TQFP
MICROCHIP￥1,598税込￥1,7581個3日以内出荷電源電圧(V)4.2～5.5発振器内蔵インターフェースI2C、SPI、UART/USART、USB主記憶(RAM)容量(標準/最大)2K×8プログラムメモリフラッシュRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 13×10bプログラムメモリ容量24KB(12K×16)動作温度範囲(℃)‐40～85(TA)パッケージ44-TQFPI/O点数35実装タイプ面実装クロック周波数48MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、HLVD、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
IC MCU 8BIT 7KB FLASH 28SOIC
MICROCHIP￥969税込￥1,0661個3日以内出荷電源電圧(V)2～5.5発振器外付けインターフェースI2C、SPI、UART/USART主記憶(RAM)容量(標準/最大)192×8プログラムメモリフラッシュRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 5×8bプログラムメモリ容量7KB(4K×14)動作温度範囲(℃)‐40～85(TA)パッケージ28-SOIC(0.295インチ、7.50mm幅)I/O点数22実装タイプ面実装クロック周波数20MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、POR、PWM、WDT
IC MCU 8BIT 3.5KB OTP 18DIP
MICROCHIP￥679税込￥7471個3日以内出荷電源電圧(V)4～5.5発振器外付け主記憶(RAM)容量(標準/最大)128×8プログラムメモリOTPRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 4×8bプログラムメモリ容量3.5KB(2K×14)動作温度範囲(℃)0～70(TA)パッケージ18-DIP(0.300インチ、7.62mm)I/O点数13実装タイプスルーホールクロック周波数20MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、POR、WDT
IC MCU 8BIT 24KB FLASH 28SOIC
MICROCHIP￥1,398税込￥1,5381個3日以内出荷電源電圧(V)4.2～5.5発振器内蔵インターフェースI2C、SPI、UART/USART、USB主記憶(RAM)容量(標準/最大)2K×8プログラムメモリフラッシュRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 10×10bプログラムメモリ容量24KB(12K×16)動作温度範囲(℃)‐40～85(TA)パッケージ28-SOIC(0.295インチ、7.50mm幅)I/O点数24実装タイプ面実装クロック周波数48MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、HLVD、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFN
MICROCHIP￥1,698税込￥1,8681個3日以内出荷電源電圧(V)4.2～5.5発振器内蔵インターフェースI2C、SPI、UART/USART、USB主記憶(RAM)容量(標準/最大)2K×8プログラムメモリフラッシュRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 13×10bプログラムメモリ容量32KB(16K×16)動作温度範囲(℃)‐40～85(TA)パッケージ44-VQFN露出パッドI/O点数35実装タイプ面実装クロック周波数48MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、HLVD、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
IC MCU 8BIT 7KB FLASH 44QFN
MICROCHIP￥599税込￥6591個3日以内出荷電源電圧(V)2～5.5発振器内蔵インターフェースI2C、SPI、UART/USART主記憶(RAM)容量(標準/最大)256×8プログラムメモリフラッシュRoHS指令(10物質対応)対応内部ADコンバータA/D 8×10bプログラムメモリ容量7KB(4K×14)動作温度範囲(℃)‐40～85(TA)パッケージ44-VQFN露出パッドI/O点数35実装タイプ面実装クロック周波数20MHzデータバス幅8ビットコアプロセッサPIC周辺装置I/F電圧低下検出/リセット、LCD、POR、PWM、WDTROMEEPROM：256×8
電力計測IC Microchip 16ビット 28ピン
MICROCHIP￥2,798税込￥3,0781袋(10個)7日以内出荷仕様分解能：16ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SSOP 、 ピン数：28 、 寸法：10.33 x 5.38 x 1.78mm 、 長さ：10.33mm 、 幅：5.38mm 、 高さ：1.78mm 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 動作温度 Max：+85 ℃ 、 動作供給電圧 Min：2.8 V 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 エネルギー測定ICRoHS指令(10物質対応)対応
EEPROM Serial-3Wire 4K-bit 512 x 8/256
MICROCHIP￥5,198税込￥5,7181セット(100個)7日以内出荷仕様シリアルアクセスEEPROMRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 16Mbit フラッシュ メモリ クワッドSPI， 2.7→3.6V， 8-PinWDFN
MICROCHIP￥1,898税込￥2,0881袋(5個)7日以内出荷仕様メモリサイズ：16Mbit 、 インターフェースタイプ：クワッドSPI 、 パッケージタイプ：WDFN 、 ピン数：8 、 構成：2 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 長さ：6mm 、 高さ：0.8mm 、 幅：5mm 、 寸法：6 x 5 x 0.8mm 、 動作温度 Max： +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ， 64Mbit フラッシュ メモリ SPI， 2.7→3.6V， 16-Pin SOIC
MICROCHIP￥1,498税込￥1,6481袋(2個)7日以内出荷仕様メモリサイズ：64Mbit 、 インターフェースタイプ：SPI 、 パッケージタイプ：SOIC 、 ピン数：16 、 構成：8 M x 8ビット 、 実装タイプ：表面実装 、 セルタイプ：スプリットゲート 、 動作供給電圧 Min：2.7 V 、 動作供給電圧 Max：3.6 V 、 ブロック構成：対称 、 長さ：10.3mm 、 高さ：2.05mm 、 幅：7.5mm 、 寸法：10.3 x 7.5 x 2.05mm 、 動作温度 Max： +85 ℃ 、 SST26VF016B/032B/064BシリアルクワッドI/O (SQI) SuperFlashRメモリ. Microchip製のSST26VF016B/032B/064Bファミリのデバイスは、シリアルクワッドI/O(TM) (SQI(TM))インターフェイスSuperFlashRメモリICで、6線式、4ビットI/Oインターフェイスを備えており、ピン数の少ない小型パッケージで低消費電力、高性能動作を実現します。 Microchip製のSQI(TM)インターフェイスを使用すれば、最高で104 MHzの性能を発揮し、最小限のプロセッサバッファメモリで低レイテンシのexecute-in-place (XIP)機能が可能になります。 これらのフラッシュメモリチップは、従来のシリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコルとの互換性のある完全なコマンドセットをサポートしています。 これらのデバイスは、SuperFlashR技術を使用することで、他のフラッシュメモリ代替品に比べると、非常に優れた消去時間を発揮します。 通常、セクタ及びブロックの消去コマンドは18 msで完了し、完全なチップ消去操作の所要時間は35 msです。特長. シリアルインターフェイスアーキテクチャ- ニブル単位の多重化I/O、SPIに類似したシリアルコマンド構造 x1 / x2 / x4シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)プロトコル 高速クロック周波数 - 最大104 MHz バーストモード 低消費電力-アクティブ読み取り15 mA (104 MHz時の代表値)、スタンバイ15 μA(代表値) 高速消去時間 - セクタ / ブロック消去: 18 ms(代表値)、チップ消去35 ms(代表値) 柔軟性の高い消去機能 ソフトウェア書き込み保護RoHS指令(10物質対応)対応
