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特価

マイクロチップ, シリアルEEPROM 256kbit シリアル-SPI AEC-Q100
MICROCHIP¥299税込¥3291個7日以内出荷25AA256/25LC256 SPIシリアルEEPROM. Microchipの25AA256/25LC256ファミリのデバイスは、256 KビットSPIシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。 シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)はクロック入力(SCK)、データ入力(SI)、データ出力(SO)信号が必要な場合に利用します。 このデバイスの動作はホールドピン(HOLD)から一時停止できます。これにより、チップセレクト(CS)ピンから定義されている優先度の高い割り込みを除く入力が無視されます。. 特長. 最大クロック: 10 MHz 最大書き込み電流: 5 mA 読み取り電流: 6 mA (標準) スタンバイ電流: 1 μA (標準) 32,768 x 8ビット構成 64バイトページ セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: 5 ms (最大) ブロック書き込み保護: 保護なし、1/4、1/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン シーケンシャル読み取り 耐久性: >;1 M回の消去 / 書き込み データ保持: >;200年間 ESD保護: >;4000 V仕様メモリサイズ = 256kbitインターフェースタイプ = シリアル-SPIパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 32 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 1.8 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.25mmワード数 = 32kRoHS指令(10物質対応)対応
Microchip オペアンプ, 表面実装, 2回路, 単一電源, MCP6032-E/SN
MICROCHIP¥18,980税込¥20,8781セット(100個)7日以内出荷仕様●アンプタイプ: 高精度●実装タイプ: 表面実装●パッケージタイプ: SOIC●電源タイプ: 単一電源●回路数: 2●ピン数: 8●標準ゲイン帯域幅積: 10kHz●標準スルーレート: 4V/ms●最大動作周波数: 1 kHz●動作温度 Min: -40 ℃●レール to レール: レール to レール入力/出力μV●入力オフセット電流: 1pA●MCP6031 / 6032 / 6033 / 6034オペアンプRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ, フラッシュメモリ 2MB パラレル, 32-Pin, SST39SF020A-70-4C-PHE
MICROCHIP¥6,298税込¥6,9281セット(11個)7日以内出荷仕様●メモリサイズ 2MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PDIP●ピン数 32●構成 256 x 8ビット●実装タイプ スルーホール●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 42.04mm●高さ 3.81mm●幅 13.97mm●寸法 42.04 13.97 3.81mm●シリーズ SST39ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ, フラッシュメモリ 1MB パラレル, 32-Pin, SST39SF010A-70-4I-NHE
MICROCHIP¥9,998税込¥10,9981セット(30個)7日以内出荷仕様●メモリサイズ 1MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 128 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●シリーズ SST39bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ, フラッシュメモリ 4Mbit パラレル, 32-Pin, SST39SF040-70-4C-NHE
MICROCHIP¥939税込¥1,0331袋(2個)7日以内出荷仕様●メモリサイズ 4Mbit●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 11.51 14.05 2.84mm●最大ランダムアクセス時間 70ns●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ, フラッシュメモリ 4MB パラレル, 32-Pin, SST39SF040-70-4I-NHE
MICROCHIP¥2,598税込¥2,8581袋(5個)7日以内出荷仕様●メモリサイズ 4MB●インターフェースタイプ パラレル●パッケージタイプ PLCC●ピン数 32●構成 512 x 8ビット●実装タイプ 表面実装●セルタイプ スプリットゲート●動作供給電圧 Min 4.5 V●動作供給電圧 Max 5.5 V●ブロック構成 対称●長さ 14.05mm●高さ 2.84mm●幅 11.51mm●寸法 14.05 11.51 2.84mm●1ワード当たりのビット数 8bit●SST39SF010A/020A/040パラレルSuperFlashRメモリ. Microchip製のSST39SF010A/020A/040ファミリのデバイスは●パラレルの多目的SuperFlashRメモリICです。. 特長. 4.5-5.5 V読み取り及び書き込み操作 耐久性 100000回(標準) 低消費電力 アクティブ電流10 mA●スタンバイ電流30 μA (14 MHzでの標準値) セクタ消去機能: 均一な4 KBセクタ 読み取りアクセス時間: 55 70 ns セクタ消去時間: 18 ms チップ消去時間: 70 ms(標準) バイトプログラム時間 14 μs(標準) チップ書換え時間 SST39SF010A 2秒●SST39SF020A 4秒●SST39SF040 8秒(標準値) ラッチ付きアドレス及びデータ 自動書き込み時間 内部VPP生成 End-of-Write検出 トグルビット データ#ポーリング TTL I/O互換品 JEDEC規格 フラッシュEEPROMピン配列及びコマンドセットRoHS指令(10物質対応)対応
マイクロチップ, シリアルEEPROM 256kbit シリアル-SPI AEC-Q100
MICROCHIP¥29,980税込¥32,9781セット(100個)7日以内出荷仕様●メモリサイズ:256kbit●インターフェースタイプ:シリアル-SPI●パッケージタイプ:PDIP●実装タイプ:スルーホール●ピン数:8●構成:32 K x 8ビット●動作供給電圧 Min:2.5 V●動作供給電圧 Max:5.5 V●プログラミング電圧:2.5 → 5.5V●1ワード当たりのビット数:8bit●寸法:9.4 x 6.35 x 3.3mm●動作温度 Max:+85 ℃ns●25AA256/25LC256 SPIシリアルEEPROM. Microchipの25AA256/25LC256ファミリのデバイスは、256 KビットSPIシリアルEEPROMです。さまざまなパッケージ、温度、電源タイプを用意しています。 シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)はクロック入力(SCK)、データ入力(SI)、データ出力(SO)信号が必要な場合に利用します。 このデバイスの動作はホールドピン(HOLD)から一時停止できます。これにより、チップセレクト(CS)ピンから定義されている優先度の高い割り込みを除く入力が無視されます。. 特長. 最大クロック: 10 MHz 最大書き込み電流: 5 mA 読み取り電流: 6 mA (標準) スタンバイ電流: 1 μA (標準) 32768 x 8ビット構成 64バイトページ セルフ時限の消去及び書き込みサイクル: 5 ms (最大) ブロック書き込み保護: 保護なし、1/41/2、全アレイ 内蔵書込み保護: 電源オン / オフ時データ保護回路、書き込み有効ラッチ、書き込み保護ピン シーケンシャル読み取り 耐久性: >1 M回の消去 / 書き込み データ保持: >200年間 ESD保護: >4000 VRoHS指令(10物質対応)対応















